[发明专利]一种制备MiniLED芯片的方法

权利要求书

1.一种制备MiniLED芯片的方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、提供一衬底，依次在衬底上制作N型半导体层、发光层和P型半导体层，形成外延层；

S2、分别在P型半导体层和N型半导体层上形成PN电极，该PN电极底层为厚度100nm的高反射金属层或厚度100～500nm铝；

S3、沉积DBR反射层，在PN电极上方进行光刻和刻蚀，刻穿到PN电极位置，制作DBR反射层；

S4、制作PN焊盘，将PN焊盘对应与PN电极导通；PN焊盘设计如下：

PN焊盘主要由从下到上的焊盘粘附层、焊盘反射层、焊盘阻挡层、高弹性模量层和焊盘结合层组成；

其中，焊盘粘附层为Ti、Ni或Cr形成的金属层，为与DBR反射层相黏附，厚度为0.5～100nm；

焊盘反射层为Al或Ag形成的金属层，厚度大于100nm；

焊盘阻挡层为Ti、Pt、或Ti和Pt叠层形成的金属层，厚度大于50nm；

高弹性模量层11为Ni形成的金属层，厚度为300nm～2000nm；

焊盘结合层为Au形成的金属层，厚度为50nm～500nm；

S5、进行切裂，形成芯粒。

2.根据权利要求1所述的一种制备MiniLED芯片的方法法，其特征在于，焊盘反射层为Al形成的金属层，厚度为1000nm。

3.根据权利要求1或2所述的一种制备MiniLED芯片的方法，其特征在于，焊盘阻挡层为Ti时，厚度为100nm。

4.根据权利要求1或2所述的一种制备MiniLED芯片的方法，其特征在于，

焊盘各层金属的沉积使用E-Beam机台或Sputter机台进行沉积，膜层沉积时使用50～100℃或常温，材料选用颗粒或靶材。

5.根据权利要求3所述的一种制备MiniLED芯片的方法，其特征在于，焊盘各层金属的沉积使用E-Beam机台或Sputter机台进行沉积，膜层沉积时使用50～100℃或常温，材料选用颗粒或靶材。