[发明专利]一种窄带光源阵列及光学检测设备有效
申请号: | 202010530020.5 | 申请日: | 2020-06-11 |
公开(公告)号: | CN111682042B | 公开(公告)日: | 2022-02-25 |
发明(设计)人: | 张扬 | 申请(专利权)人: | 杭州百伴生物技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L27/146;H01L33/50;H01L33/52;H01L33/58;G01N21/01 |
代理公司: | 上海利迅知识产权代理有限公司 31462 | 代理人: | 孙刚 |
地址: | 310025 浙江省杭州*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 窄带 光源 阵列 光学 检测 设备 | ||
1.一种窄带光源阵列,其特征在于,包括衬底、蚀刻于衬底一侧的凹坑阵列和设于所述衬底另一侧的激发光阵列,所述凹坑阵列中的凹坑底面为弧形曲面,带有所述凹坑的所述衬底形成平凹透镜;所述凹坑内填充有可透光填充物,至少部分所述凹坑内的填充物包裹有光致发光量子点,位于所述凹坑内的含有光致发光量子点的填充物形成平凸透镜;所述激发光阵列包括若干呈阵列分布的单色发光元件;所述凹坑与所述单色发光元件一一对应设置;所述平凹透镜和平凸透镜相配合促使所述单色发光元件发出的光信号形成汇聚的照明光源;所述填充物的折射率与衬底的折射率不同;所述凹坑的底面曲率根据衬底折光率和填充物的折光率计算获取,满足:
r=f*(n1+n2-2);其中:r为凹坑底面曲率半径,f为凹坑填充填充物后形成的透镜焦距,n1为衬底折射率,n2为填充物的折射率,n22-n1;所述填充物是环氧树脂溶剂或固态环氧树脂;各所述凹坑内填充物所包含光致发光量子点的发射波长不完全相同;多个所述单色发光元件设置于同一驱动电路板上,所述驱动电路板能够独立驱动任一所述单色发光元件发光,以使得发射波长不同的所述光致发光量子点所对应的单色发光元件能够被分时驱动。
2.根据权利要求1所述的窄带光源阵列,其特征在于,所述单色发光元件采用Mini LED或Micro LED,用于产生单一且波长位于200~405nm的窄带紫外单色光。
3.根据权利要求1所述的窄带光源阵列,其特征在于,所述衬底由氧化铝,或氮化镓,或氮化镓铝,或上述三者材料组合构成。
4.权利要求1所述的窄带光源阵列,其特征在于,所述填充物为包裹有光致发光量子点的,或仅含环氧树脂溶剂、PAnMMA-N二嵌段共聚物或polyTPD类发光高分子聚合物有机共聚物。
5.权利要求1所述的窄带光源阵列,其特征在于,所述凹坑上覆盖有封口膜。
6.一种光学检测设备,其特征在于,包括彩色光学信号传感器、样品池和权利要求1至5任一项所述的窄带光源阵列,所述样品池设于窄带光源阵列与彩色光学信号传感器之间,所述窄带光源阵列发出的光能够透过装有待检测样品的样品池,以使彩色光学信号传感器能够采集到相应的光信号。
7.根据权利要求6所述的光学检测设备,其特征在于,所述彩色光学信号传感器包括带有RGB,RYYB,RGGB不同形式滤光片的CCD或CMOS阵列。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的