[发明专利]一种膜电极缺陷检测方法及装置在审

专利信息
申请号: 202010530516.2 申请日: 2020-06-11
公开(公告)号: CN111537532A 公开(公告)日: 2020-08-14
发明(设计)人: 叶青;胡晓;宋洁;许可;郭志远;徐桂芝;邓占锋;叶俊;高运兴 申请(专利权)人: 全球能源互联网研究院有限公司;国网山东省电力公司泰安供电公司;国家电网有限公司
主分类号: G01N23/046 分类号: G01N23/046;G01N23/18
代理公司: 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 代理人: 胡晓静
地址: 102209 北京*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 电极 缺陷 检测 方法 装置
【权利要求书】:

1.一种膜电极缺陷检测方法,其特征在于,包括:

获取膜电极的初始图像,所述初始图像包括:阴极催化层的待检测图像、质子交换膜的待检测图像以及阳极催化层的待检测图像;

对所述初始图像进行缺陷特征提取,得到对应的缺陷特征图像;

根据各所述缺陷特征图像,确定所述膜电极的缺陷检测结果。

2.根据权利要求1所述的膜电极缺陷检测方法,其特征在于,所述获取膜电极的初始图像,包括:

采用显微CT技术获取所述膜电极的初始图像。

3.根据权利要求1所述的膜电极缺陷检测方法,其特征在于,所述对所述初始图像进行缺陷特征提取,得到对应的缺陷特征图像,包括:

对所述阴极催化层的待检测图像进行轮廓特征的提取,以获得所述阴极催化层的缺陷特征图像;

对所述质子交换膜的待检测图像进行轮廓特征的提取,以获得所述质子交换膜的缺陷特征图像;

对所述阳极催化层的待检测图像进行轮廓特征的提取,以获得所述阳极催化层的缺陷特征图像。

4.根据权利要求3所述的膜电极缺陷检测方法,其特征在于,所述方法还包括:

根据各层的缺陷特征图像,确定各层缺陷的形状、尺寸以及位置坐标。

5.根据权利要求4所述的膜电极缺陷检测方法,其特征在于,所述根据各所述缺陷特征图像,确定所述膜电极的缺陷检测结果,包括:

根据所述各层缺陷的形状、尺寸以及位置坐标,得到所述膜电极的缺陷图像;

根据所述膜电极的缺陷图像,确定所述膜电极的缺陷检测结果。

6.根据权利要求5所述的膜电极缺陷检测方法,其特征在于,所述方法还包括:

获取至少一个膜电极的标准缺陷图像;其中,每个标准缺陷图像均对应至少一种缺陷类型。

7.根据权利要求6所述的膜电极缺陷检测方法,其特征在于,所述根据所述膜电极的缺陷图像,确定所述膜电极的缺陷检测结果,包括:

根据所述至少一个膜电极的标准缺陷图像,确定所述膜电极的缺陷图像和各标准缺陷图像的相似度;

根据所述膜电极的缺陷图像和各标准缺陷图像的相似度排序结果,获取与所述缺陷图像相似度最高的标准缺陷图像所对应的缺陷类型;

根据所述标准缺陷图像所对应的缺陷类型,确定所述膜电极的缺陷检测结果。

8.一种膜电极缺陷检测装置,其特征在于,包括:图像获取模块、特征提取模块和缺陷检测模块;

所述图像获取模块,用于获取膜电极的初始图像,所述初始图像包括:阴极催化层的待检测图像、质子交换膜的待检测图像以及阳极催化层的待检测图像;

所述特征提取模块,用于对所述初始图像进行缺陷特征提取,得到对应的缺陷特征图像;

所述缺陷检测模块,用于根据各所述缺陷特征图像,确定所述膜电极的缺陷检测结果。

9.一种电子设备,其特征在于,包括:至少一个处理器和存储器;

所述存储器存储计算机执行指令;

所述至少一个处理器执行所述存储器存储的计算机执行指令,使得所述至少一个处理器执行如权利要求1-7任一项所述的方法。

10.一种包含计算机可执行指令的存储介质,其特征在于,所述计算机可执行指令在由计算机处理器执行时用于执行如权利要求1-7任一项所述的方法。

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