[发明专利]一种多重图形化的方法

权利要求书

1.一种半导体结构的制造方法，包括：

提供半导体衬底，半导体衬底上有第一硬掩模层；

形成芯轴图案以及上方的第二硬掩模层；

形成侧墙层；

采用原子层刻蚀工艺对侧墙层进行刻蚀以形成芯轴两侧的侧墙。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于：

所述原子层刻蚀工艺包括，

前驱体吸附工序；

吸附后吹扫工序；

活化工序；

活化后吹扫工序，

以及，以上工序重复进行一次以上。

3.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于：

重复进行1-100次。

4.根据权利要求2-3任意一项所述的制造方法，其特征在于：

前驱体吸附工序中，将包含含硼卤素气体的前驱体气体和惰性气体供给到处理腔室；进一步的，所述含硼卤素气体包含BCl₃，所述惰性气体包含N₂、Ar和He所组成的组中的任意一种或者两种以上的组合。

5.根据权利要求2-3任意一项所述的制造方法，其特征在于：

前驱体吸附工序中，将包含C_xF_y的前驱体气体和惰性气体供给到处理腔室；进一步的，所述惰性气体包含N₂、Ar和He所组成的组中的任意一种或者两种以上的组合。

6.根据权利要求2-3任意一项所述的制造方法，其特征在于：

前驱体吸附工序中，将包含C_xH_yF_z的前驱体气体和惰性气体供给到处理腔室；进一步的，所述惰性气体包含N₂、Ar和He所组成的组中的任意一种或者两种以上的组合。

7.根据权利要求2-3任意一项所述的制造方法，其特征在于：

吸附后吹扫工序和/或活化后吹扫工序包括，

供给吹扫气体；

在泵送阀全开的状态下，抽出吹扫气体。

8.根据权利要求2-3任意一项所述的制造方法，其特征在于：

活化工序中，添加反应性气体到活化处理气体中；进一步的，所述反应性气体包含O₂。

9.根据权利要求2-3任意一项所述的制造方法，其特征在于：

所述各个工序的处理时间在10秒以内。