[发明专利]三轴磁场传感器

权利要求书

1.一种三轴磁场传感器，其特征在于，其包括：

第一导电类型衬底；

第一垂直霍尔传感器，其包括沿所述第一导电类型衬底的上表面向下延伸至第一导电类型衬底内的第一个第二导电类型阱，以及沿第一个第二导电类型阱的上表面向下延伸至第一个第二导电类型阱内的第一组第二导电类型端口；

第二垂直霍尔传感器，其包括沿所述第一导电类型衬底的上表面向下延伸至第一导电类型衬底内的第二个第二导电类型阱，以及沿第二个第二导电类型阱的上表面向下延伸至第二个第二导电类型阱内的第二组第二导电类型端口；

平面霍尔传感器，其包括沿所述第一导电类型衬底的上表面向下延伸至第一导电类型衬底内的第三个第二导电类型阱，以及沿第三个第二导电类型阱的上表面向下延伸至第三个第二导电类型阱内的第三组第二导电类型端口。

2.根据权利要求1所述的三轴磁场传感器，其特征在于，

所述第一垂直霍尔传感器用于探测x轴磁场；

所述第二垂直霍尔传感器用于探测y轴磁场；

所述平面霍尔传感器用于探测z轴磁场，

其中，x轴、y轴、z轴属于笛卡尔坐标系，且z轴与x轴和y轴满足右手定则。

3.根据权利要求1所述的三轴磁场传感器，其特征在于，

所述第一导电类型衬底为p型衬底；

所述第二导电类型阱为n阱；

所述第二导电类型端口为n+端口。

4.根据权利要求1所述的三轴磁场传感器，其特征在于，

所述第一导电类型衬底为n型衬底；

所述第二导电类型阱为p阱；

所述第二导电类型端口为p+端口。

5.根据权利要求1所述的三轴磁场传感器，其特征在于，

所述第二导电类型阱通过向所述第一导电类型衬底扩散或注入形成；

所述第二导电类型端口通过向所述第二导电类型阱扩散或注入形成。

6.根据权利要求2所述的三轴磁场传感器，其特征在于，

所述第一组第二导电类型端口包括第一电源端106a、第一接地端106b、第二接地端106c、第一信号正端106d和第一信号负端106e；

所述第二组第二导电类型端口包括第二电源端108a、第三接地端108b、第四接地端108c、第三信号正端108d和第四信号负端108e；

所述第三组第二导电类型端口包括第三电源端110a、第五接地端110b、第五信号正端110c和第六信号负端110d。

7.根据权利要求6所述的三轴磁场传感器，其特征在于，

所述第一组第二导电类型端口中的各个端口形成一条沿y轴的直线；

所述第二组第二导电类型端口中的各个端口形成一条沿x轴的直线；

所述第三组第二导电类型端口中，第三电源端110a和第五接地端110b形成的直线垂直于第五信号正端110c和第六信号负端110d形成的直线。

8.根据权利要求7所述的三轴磁场传感器，其特征在于，

所述第三组第二导电类型端口中，

所述第三电源端110a和第五接地端110b形成一条沿x轴的直线；

所述第五信号正端110c和第六信号负端110d形成一条沿y轴的直线。

9.根据权利要求1所述的三轴磁场传感器，其特征在于，

第一垂直霍尔传感器和第二垂直霍尔传感器分别位于所述平面霍尔传感器的相邻的两侧。

10.根据权利要求1所述的三轴磁场传感器，其特征在于，

所述第二导电类型端口的掺杂浓度较所述第二导电类型阱的掺杂浓度高。