[发明专利]一种微阵列吸附基板、驱动电路以及显示装置

权利要求书

1.一种应用于微阵列吸附基板的驱动电路，其特征在于，所述微阵列吸附基板包括：

临时基材，具有相对设置的第一面和第二面；

静电吸附微阵列结构，设置在所述第一面，所述静电吸附微阵列结构用于进行充电和放电，所述静电吸附微阵列结构包括电容电路，所述电容电路包括电容，当所述电容充电后，所述微阵列吸附基板对待吸附物进行吸附；当所述电容放电后，所述微阵列吸附基板与待吸附物之间分开；

保护膜，所述保护膜设置在所述静电吸附微阵列结构远离所述临时基材的一面，且嵌入所述静电吸附微型阵列结构间隙中；

其中，所述驱动电路包括电源，所述电源包括第一端和第二端，所述第一端具有第一接口和第二接口，所述第一接口与第一场效应晶体管连接，所述第一场效应晶体管分别连接第二场效应晶体管和第三场效应晶体管，所述第一场效应晶体管、第二场效应晶体管以及第三场效应晶体管与所述第二端连接，所述第二接口与第六场效应晶体管连接，所述第六场效应晶体管分别与第五场效应晶体管和第四场效应晶体管连接，所述第三场效应晶体管和所述第四场效应晶体管之间连接有所述电容，所述第四场效应晶体管、第五场效应晶体管以及六场效应晶体管与所述第二端连接，所述第一端与第一开关和第四开关连接，所述第二端与第二开关和第三开关连接；

其中，当充电时，所述第一开关与所述第一场效应晶体管、第二场效应晶体管以及第三场效应晶体管连接，所述第三开关与所述第四场效应晶体管、第五场效应晶体管以及第六场效应晶体管连接，当放电时，第二开关与所述第一场效应晶体管、第二场效应晶体管以及第三场效应晶体管连接，第三开关与所述第四场效应晶体管、第五场效应晶体管以及第六场效应晶体管连接。

2.根据权利要求1所述的驱动电路，其特征在于，所述保护膜为聚酰亚胺薄膜。

3.根据权利要求2所述的驱动电路，其特征在于，所述聚酰亚胺薄膜的厚度为10至1000微米。

4.根据权利要求1所述的驱动电路，其特征在于，所述电容电路每一条线的宽度为10至1000微米。

5.根据权利要求1所述的驱动电路，其特征在于，所述保护膜为氧化铝膜层、氮化硅、氧化铪、石英以及聚四氟乙烯中任一种。

6.根据权利要求1所述的驱动电路，其特征在于，所述第一端为正电位，所述第二端为负电位。

7.一种显示装置，其特征在于，包括微阵列吸附基板和如权利要求1-6任一项所述的驱动电路，所述微阵列吸附基板还设置金属层，所述金属层包括半导体层，所述半导体层两侧设有重掺杂区，所述半导体层上设有栅极介质层，所述栅极介质层上设有栅极金属层，所述半导体层与源漏极金属层接触。