[发明专利]一种具有Sn焊盘的LED芯片的制备方法

权利要求书

1.一种具有Sn焊盘的LED芯片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、提供一衬底，依次在衬底上制作N型半导体层、发光层和P型半导体层，形成LED晶圆；

S2、使用光刻胶形成MESA图层，以MESA图层为掩模对LED晶圆进行ICP刻蚀，形成N型半导体台面并去除光刻胶；

S3、在LED晶圆上沉积电流阻挡层CBL，使用光刻胶进行CBL光刻，在光刻胶层上形成CBL图层；对CBL图层进行电流阻挡层刻蚀，形成与CBL图层相对应的电流阻挡层，并去除光刻胶；

S4、在LED晶圆上沉积ITO透明导电层，使用光刻胶进行ITO光刻，形成所需ITO图层，以ITO图层为掩模对ITO透明导电层进行ITO刻蚀，去除光刻胶漏出底层ITO透明导电层；

S5、制作隔离槽，使用光刻胶进行Isolation光刻，在光刻胶上形成Isolation图层，以Isolation图层为掩模进行ICP刻蚀，刻蚀到衬底上形成隔离槽并去除光刻胶；

S6、使用光刻胶先进行光刻，沉积制作P电极和N电极再去除光刻胶；

S7、沉积SiO₂及Ti₃O₅交替组成的DBR布拉格反射层PV，DBR厚度为2～6um；

S8、使用光刻胶进行PV光刻，在光刻胶上形成PV图层，以PV图层为掩模进行ICP刻蚀，刻蚀到PN电极层，去除PV光刻后的光刻胶；

S9、使用光刻胶进行焊盘层光刻，沉积PN焊盘，去除光刻胶；

S10、使用钢网进行锡焊盘制作：

(1)根据所需的锡焊盘尺寸使用激光切割或电铸制作磨具钢网，钢网开口的设计边缘小于芯片焊盘2～15um，便于刮刷后锡膏流动；

(2)将钢网与芯片焊盘进行对准，对准后使用刮刀刮刷锡膏，锡膏的选择与钢网对应，钢网的开口尺寸和厚度都大于锡膏粉径的三倍；刮刷锡膏的速度在25～150mm/sec，锡厚度在20um～150um之间；

(3)刮刷完成后进行钢网脱离，脱离速度5～20mm/sec完成刮刷工艺；

(4)刮刷完成后进行回流焊回流工艺，温度设定在220～270℃，回流采用常压或高真空纯氮环境，回流结束后表面呈现弧状形貌；

(5)对于需求为锡焊盘表面为平面形貌的，进行正面研磨，无需平面形貌的无需经过此工艺；

以上为锡膏焊盘的制作过程，制作完成后进行切割制作成芯粒；

S11、芯粒使用时，在相应基板上涂布助焊剂，芯粒放在相应位置后进行回流，回流温度在220℃～270℃之间。