[发明专利]具有防雷击功能的高功率因数5G通信基站的电源

权利要求书

1.具有防雷击功能的高功率因数5G通信基站的电源，其特征在于，包括连接供电设备的PFC电路，所述PFC电路包括防雷击模块以防雷击，

所述防雷击模块130包括：4个压敏电阻，6个放电管，其中，压敏电阻PT39和压敏电阻PT40串联后与串联的压敏电阻PT44和压敏电阻PT45并联后分别连接至供电设备的物理接口*47和供电设备的物理接口*48，放电管*41和放电管*43串联后的一端连接至压敏电阻PT39和压敏电阻PT40之间后其另一端连接至压敏电阻PT44和压敏电阻PT45之间，并且供电设备的物理接口*42连接至放电管*41和放电管*43之间；

所述PFC电路还包括抗干扰模块140，所述抗干扰模块140包括：2个变压器，2个电容，2个压敏电阻，其中，电容C91的两端分别连接变压器L2的初级线圈的接线端1和次级线圈的接线端4，变压器L34的初级线圈的接线端4和次级线圈的接线端3分别连接至电容C91的两端，压敏电阻PT35、电容C95和压敏电阻PT37并联后的两端分别连接至变压器L34的初级线圈的接线端1和次级线圈的接线端2；

所述PFC电路还包括功率放大电路，所述功率放大电路包括：2个IC芯片，1个整流桥堆，2个MOS管，2个电感，5个二极管，9个电阻，9个电容，其中，芯片ICE3PCS03G的GATE引脚串联电阻RT1连接至芯片TC44201的INPUT引脚，芯片ICE3PCS03G的Isense引脚串联电阻R182后分别连接至MOSQ36和MOS管Q37的S极，芯片TC44201的OUT引脚6串联电阻R167后连接至MOS管Q37的G极，芯片TC44201的OUT引脚7与并联的电阻R165和二极管D40串联后连接至MOS管Q36的G极，二极管D43的一端连接至电阻R167和MOS管Q37之间后其另一端连接至芯片TC44201的OUT引脚7和电阻R165之间，电阻R170的一端连接至电阻R165和MOS管Q36之间后其另一端接地，电阻R172的一端连接至电阻R167和MOS管Q37之间后其另一端接地，电阻R169、电阻R174和电阻R178并联后的一端分别连接至MOSQ36和MOS管Q37的S极后其另一端接地，整流桥堆D42的V+引脚与并联的电感L8和二极管D38串联后连接至MOS管Q36的D极，整流桥堆D42的V+引脚串联电感L9后连接至MOS管Q37的D极，二极管D39和二极管D41串联后连接至MOS管Q36的D极和MOS管Q37的D极之间，电容C79的一端连接至整流桥堆D42的V+引脚后其另一端接地，芯片ICE3PCS03G的Icomp引脚串联电容C88后接地，芯片ICE3PCS03G的FREQ引脚与并联的电阻R184和电容C94串联后接地，电容C93的一端连接至芯片ICE3PCS03G的Isense引脚后其另一端接地，电容C92的一端连接至芯片ICE3PCS03G的VSENSE引脚后其另一端接地，电容C80、电容C82、电容C83、电容C84并联后的一端连接至芯片ICE3PCS03G的VCC引脚和芯片TC44201的VDD引脚之间后其另一端接地。

2.根据权利要求1所述的电源，其特征在于，所述抗干扰模块140还包括：2个二极管，4个电阻，另外的5个电容，二极管D46的一端连接至变压器L34的次级线圈的接线端2，二极管D47的一端连接至二极管D46和电阻R185之间，二极管D46的另一端和二极管D47的另一端分别连接至串联的电阻R185、电阻R181和电阻R176，电容C87和电阻R179并联后的一端连接至电阻R176，电容C85和电容C86并联后与并联的电容C90和电容C89串联的一端连接至电阻R185和二极管D46之间后其另一端接地。