[发明专利]氧化物半导体基板及肖特基势垒二极管元件有效
| 申请号： | 202010532733.5 | 申请日： | 2014-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN111668315B | 公开（公告）日： | 2023-09-12 |
| 发明（设计）人： | 笘井重和;柴田雅敏;川岛绘美;矢野公规;早坂紘美 | 申请（专利权）人： | 出光兴产株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/861;H01L29/47;H01L29/26;H01L29/24;H01L29/04;H01L21/34 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王铭浩 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氧化物 半导体 肖特基势垒二极管 元件 | ||
1.一种结构体，其包含氧化物半导体层、肖特基电极层和欧姆电极层，
在所述肖特基电极层上形成所述氧化物半导体层，在所述氧化物半导体层上形成所述欧姆电极层，
所述氧化物半导体层包含含有铟的多晶和/或非晶质的氧化物半导体，
在所述氧化物半导体层中，铟的含量相对于全部金属元素的含量的原子组成百分率([In]/([In]+[In以外的全部金属元素])×100)为30原子％～100原子％，
所述氧化物半导体层的膜厚为200nm～20μm，
在所述氧化物半导体为多晶时，所述氧化物半导体包含In和选自Al、Si、Ga、Hf、Zr、Ce及Sn中的1种以上，
且该结构体包含所述氧化物半导体层与所述肖特基电极层发生电接触的区域。
2.一种结构体，其包含氧化物半导体层、肖特基电极层和欧姆电极层，
在所述欧姆电极层上形成所述氧化物半导体层，在所述氧化物半导体层上形成所述肖特基电极层，
所述氧化物半导体层包含含有铟的多晶和/或非晶质的氧化物半导体，
在所述氧化物半导体层中，铟的含量相对于全部金属元素的含量的原子组成百分率([In]/([In]+[In以外的全部金属元素])×100)为30原子％～100原子％，
所述氧化物半导体层的膜厚为200nm～20μm，
在所述氧化物半导体为多晶时，所述氧化物半导体包含In和选自Al、Si、Ga、Hf、Zr、Ce及Sn中的1种以上，
且该结构体包含所述氧化物半导体层与所述肖特基电极层发生电接触的区域。
3.如权利要求1或2所述的结构体，其中，所述发生电接触的区域为直接接合的区域。
4.如权利要求1或2所述的结构体，其中，所述肖特基电极层的功函数为4.7eV以上。
5.如权利要求1或2所述的结构体，其中，所述肖特基电极层包含选自Au、Cr、Cu、Fe、Ir、Mo、Nb、Ni、Pd、Pt、Re、Ru、W中的金属、或者包含选自In2O3、ITO、IZO中的金属氧化物。
6.如权利要求1或2所述的结构体，其中，在所述氧化物半导体层为非晶质的氧化物半导体时，所述非晶质的氧化物半导体包含选自Al、Ga、Hf及Sm中的1种以上的元素。
7.如权利要求6所述的结构体，其中，所述选自Al、Ga、Hf及Sm中的1种以上的元素的含量为氧化物半导体层的全部金属元素中的3原子％以上且30原子％以下。
8.如权利要求1或2所述的结构体，其中，所述氧化物半导体为非晶质。
9.如权利要求1或2所述的结构体，其中，所述氧化物半导体为结晶质，且在所述氧化物半导体中，以全部金属元素中3原子％以上且30原子％以下的比例包含选自Al、Ga和Hf中的至少1种元素。
10.如权利要求1或2所述的结构体，其中，所述氧化物半导体在室温下的载流子浓度为1×1014cm-3以上且1×1017cm-3以下。
11.如权利要求1或2所述的结构体，其绝缘破坏电场为0.5MV/cm～3MV/cm。
12.一种氧化物半导体基板，其是权利要求1～11中任一项所述的结构体层叠于导电性基板上而成的。
13.如权利要求12所述的氧化物半导体基板，其中，所述导电性基板由选自单晶硅、多晶硅及微晶硅中的1种以上构成。
14.一种氧化物半导体基板，其是权利要求1～11中任一项所述的结构体层叠于电绝缘性基板上而成的。
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