[发明专利]一种防止反接的保护电路及装置有效
申请号: | 202010533596.7 | 申请日: | 2020-06-12 |
公开(公告)号: | CN111817282B | 公开(公告)日: | 2022-06-07 |
发明(设计)人: | 胡兆弟 | 申请(专利权)人: | 苏州浪潮智能科技有限公司 |
主分类号: | H02H11/00 | 分类号: | H02H11/00 |
代理公司: | 北京连和连知识产权代理有限公司 11278 | 代理人: | 张元 |
地址: | 215100 江苏省苏州市吴*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 防止 反接 保护 电路 装置 | ||
1.一种防止反接的保护电路,其特征在于,包括以下部件:
比较器,所述比较器的正向输入端分别与固定部件的正极和待接口的正端连接;
MOS管,所述MOS管的栅极与所述比较器的输出端连接,所述MOS管的源极与所述固定部件的负极连接,所述MOS管的漏极与所述待接口的负端连接;
其中,所述待接口的正端与所述待接口的负端构造用于分别与待接部件的正负极连接,
保护电路还包括:
第二MOS管,所述第二MOS管的栅极与所述比较器的输出端连接;
第二发光器件,所述第二发光器件的第一端与所述第二MOS管的漏极连接;
第二比较器,所述第二比较器的正向输入端与所述待接口的负端连接;
第三MOS管,所述第三MOS管的栅极与所述第二比较器的输出端连接;以及
第三发光器件,所述第三发光器件的第一端与所述第三MOS管的漏极连接。
2.根据权利要求1所述的保护电路,其特征在于,还包括:
发光器件,所述发光器件的第一端与所述MOS管的漏极连接,所述发光器件的第二端与所述待接口的负端连接。
3.根据权利要求1所述的保护电路,其特征在于,还包括:
第一限流电阻,所述第一限流电阻的一端与所述第二发光器件的第二端连接,另一端与所述比较器的输出端的上拉电压连接;
第二限流电阻,所述第二限流电阻的一端与所述第三发光器件的第二端连接,另一端与所述第二比较器的输出端的上拉电压连接。
4.一种防止反接的装置,其特征在于,包括保护电路,所述保护电路包括:
比较器,所述比较器的正向输入端分别与固定部件的正极和待接口的正端连接;
MOS管,所述MOS管的栅极与所述比较器的输出端连接,所述MOS管的源极与所述固定部件的负极连接,所述MOS管的漏极与所述待接口的负端连接;
其中,所述待接口的正端与所述待接口的负端构造用于分别与待接部件的正负极连接,
保护电路还包括:
第二MOS管,所述第二MOS管的栅极与所述比较器的输出端连接;
第二发光器件,所述第二发光器件的第一端与所述第二MOS管的漏极连接;
第二比较器,所述第二比较器的正向输入端与所述待接口的负端连接;
第三MOS管,所述第三MOS管的栅极与所述第二比较器的输出端连接;以及
第三发光器件,所述第三发光器件的第一端与所述第三MOS管的漏极连接。
5.根据权利要求4所述的装置,其特征在于,还包括:
发光器件,所述发光器件的第一端与所述MOS管的漏极连接,所述发光器件的第二端与所述待接口的负端连接。
6.根据权利要求4所述的装置,其特征在于,还包括:
第一限流电阻,所述第一限流电阻的一端与所述第二发光器件的第二端连接,另一端与所述比较器的输出端的上拉电压连接;
第二限流电阻,所述第二限流电阻的一端与所述第三发光器件的第二端连接,另一端与所述第二比较器的输出端的上拉电压连接。
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