[发明专利]一种用于50~100nm波段的高次谐波抑制滤片及其制备方法

权利要求书

1.一种用于50～100nm波段的高次谐波抑制滤片，其特征在于，包括依次层叠设置的第一Al膜、Yb薄膜和第二Al膜。

2.根据权利要求1所述的高次谐波抑制滤片，其特征在于，所述Yb薄膜的厚度为100～500nm。

3.根据权利要求2所述的高次谐波抑制滤片，其特征在于，所述Yb薄膜的厚度为300nm。

4.根据权利要求1～3任一项所述的高次谐波抑制滤片，其特征在于，所述第一Al膜和第二Al膜的厚度均为15nm。

5.根据权利要求1所述的高次谐波抑制滤片，其特征在于，所述Yb薄膜为圆形结构，所述圆形结构的直径为8～20mm。

6.权利要求1～4任一项所述的高次谐波抑制滤片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

依次进行第一Al膜、Yb薄膜和第二Al膜的镀膜，得到所述高次谐波抑制滤片。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述镀膜为蒸发镀膜或磁控溅射镀膜。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述蒸发镀膜的本底气压低于2×10^-5Pa。