[发明专利]一种石墨烯薄膜衬底的制备方法及其应用

权利要求书

1.一种石墨烯薄膜衬底的制备方法，其特征在于，方法包括以下步骤：

步骤S1、对石英衬底进行预处理；

步骤S2、将经过预处理的石英衬底置于磁控溅射靶材底座上，采用磁控溅射法于石英衬底上形成SiO₂纳米颗粒；

步骤S3、将经磁控溅射处理后的石英衬底放入退火炉中，在空气流动的条件下经退火处理即得。

2.根据权利要求1所述的石墨烯薄膜衬底的制备方法，所述的预处理包括将衬底依次放入丙酮、无水乙醇和去离子水中进行超声清洗。

3.根据权利要求1所述的石墨烯薄膜衬底的制备方法，其特征在于，所述的石英衬底包括石英玻璃衬底、SiO₂衬底、柔性超薄玻璃衬底、浮法玻璃衬底和普通玻璃衬底。

4.根据权利要求1所述的石墨烯薄膜衬底的制备方法，其特征在于，所述的磁控溅法的溅射功率为50～150W，磁控溅射时间为1～60min，氩气流量为30～60sccm，氧气流量为1～20sccm，磁控功率为50～150W，腔室压强为0～10pa。

5.一种石墨烯薄膜，其特征在于，所述的石墨烯薄膜以权利要求1-4任一权利要求所述的石墨烯薄膜衬底的制备方法制得的石墨烯薄膜衬底为衬底。

6.根据权利要求5所述的石墨烯薄膜，其特征在于，所述石墨烯薄膜采用PECVD法于真空条件下制得。

7.根据权利要求6所述的石墨烯薄膜，其特征在于，所述真空条件的真空度小于10^-4Pa。

8.根据权利要求6所述的石墨烯薄膜，其特征在于，所述PECVD法的参数设置包括：升温速率10～30℃/min，氩气流量50～100sccm，甲烷流量为2～50sccm，氢气流量为0～40sccm，生长时间为1～100min。