[发明专利]直接的选择性增粘剂镀覆

权利要求书

1.一种形成封装的半导体器件的方法，包括：

提供具有多个单元引线框架的引线框架条，每个单元引线框架均包括芯片焊盘和远离所述芯片焊盘延伸的多个引线；

使用增粘剂镀覆材料在所述多个单元引线框架中的第一单元引线框架的封装体轮廓区域内镀覆所述第一单元引线框架，所述封装体轮廓区域包括芯片焊盘中的一个和所述引线的内部部分；以及

在镀覆所述第一单元引线框架之前或之后处理所述第一单元引线框架中的线结合部位，使得在镀覆所述第一单元引线框架之后，所述线结合部位基本上没有所述增粘剂镀覆材料，

其中，所述线结合部位在所述封装体轮廓区域内设置在所述引线的内部部分与芯片焊盘最近的端部处。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，处理所述线结合部位包括：

在镀覆第一单元引线框架之前，化学处理所述线结合部位，以防止所述增粘剂镀覆材料在镀覆第一单元引线框架期间形成在所述线结合部位上。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，化学处理所述线结合部位包括将所述线结合部位暴露于抗浸渍或抗锈蚀的化学抑制剂。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，处理所述线结合部位包括：

在镀覆第一单元引线框架之后，去除在镀覆第一单元引线框架期间增粘剂镀覆材料形成在线结合部位上的部分。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，去除增粘剂镀覆材料形成在线结合部位上的部分包括将化学清洁溶液施加至所述线结合部位，所述化学清洁溶液包括以下中的至少一种：氢氧化钾、乙酸铵、乳酸钾和丙酮。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，施加所述化学清洁溶液包括将所述线结合部位暴露于所述化学清洁溶液并且保护相邻区域免受所述化学清洁溶液的选择性清洁过程。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，处理所述线结合部位包括：

在使用所述增粘剂镀覆材料镀覆所述第一单元引线框架之后，使所述线结合部位镀有覆盖所述线结合部位的线可结合层。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述线可结合层包括Ag、Pd、Au、Ni和Cu中的至少一种。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，处理所述线结合部位包括：

在镀覆第一单元引线框架之前，施加抗腐蚀涂层至所述引线框架，其中，所述抗腐蚀涂层防止所述增粘剂镀覆材料在镀覆第一单元引线框架期间形成在所述线结合部位上。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，施加抗腐蚀涂层包括在第一单元引线框架的顶侧以及底侧整个上形成疏水层。

11.根据权利要求1所述的方法，其中，处理线结合部位包括：

在镀覆所述第一单元引线框架之前，在所述线结合部位之上施加胶带。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述胶带包括聚乙烯和聚酯中的至少一种。

13.根据权利要求1所述的方法，其中，处理所述线结合部位包括：

在镀覆所述第一单元引线框架之后，施加激光清洁工艺至所述线结合部位，以去除在镀覆第一单元引线框架期间任何漏至所述线结合部位上的增粘剂镀覆材料。

14.根据权利要求1所述的方法，其中，所述增粘剂镀覆材料包括锌基金属。

15.根据权利要求14所述的方法，其中，所述增粘剂镀覆材料包括ZnCr、ZnMo和ZnV中的至少一种。