[发明专利]一种阵列基板及其制备方法以及显示面板

说明书

本发明提供一种阵列基板及其制备方法以及显示面板。阵列基板包括依次层叠设置在衬底上的有源层、金属接触层、栅极绝缘层、栅极层、源漏极层、及像素电极。金属接触层的绝缘区对应于有源层的沟道区，金属接触层的导体区位于绝缘区的两旁。源漏极层的源极和漏极分别与导体区连接。以缓解现有TFT器件中IGZO导体化区电阻较大的问题。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法以及显示面板。

背景技术

随着显示技术的发展，显示屏逐渐往大尺寸高分辨率的方向发展。而传统的TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)器件一般采用a-Si(Amorphous Silicon，非晶硅)作为有源层。a-Si器件由于发展已久，器件特性稳定，但是a-Si迁移率低下，在高分辨率及高刷新频率下，就逐渐失去了原有的优势。而IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide，铟镓锌氧化物)作为氧化物半导体材料中的一种，相比较于a-Si，有着比a-Si更大的迁移率。使用IGZO作为TFT器件中的沟道材料，可以提高显示面板的分辨率。而对于顶栅(Top gate)结构的氧化物半导体TFT器件，通常在对栅极层和栅极绝缘层进行刻蚀后，采用氦气等离子体对未被栅极层覆盖的IGZO区域进行导体化，以保证源漏极层与半导体层间良好的欧姆接触。之后再进行源漏极层的制作，形成TFT器件。但是经历长时间的热退火制程会增加IGZO被导体化区域的电阻，影响导体化的效果，从而使TFT器件的电性恶化甚至失效。

因此，现有TFT器件中IGZO导体化区电阻较大的问题需要解决。

发明内容

本发明提供一种阵列基板及其制备方法以及显示面板，以缓解现有TFT器件中IGZO导体化区电阻较大的技术问题。

为解决上述问题，本发明提供的技术方案如下：

本发明实施例提供一种阵列基板，其包括在衬底上依次层叠制备的有源层、金属接触层、栅极绝缘层、栅极层、源漏极层、及像素电极。所述有源层设置于所述衬底上，包括沟道区。所述金属接触层设置于所述有源层上，包括导体区和绝缘区，所述绝缘区对应于所述沟道区，所述导体区设置于所述绝缘区两旁。所述栅极绝缘层设置于所述金属接触层上方。所述栅极层设置于所述栅极绝缘层上方，所述栅极层包括栅极，所述栅极位于所述沟道区的相对上方。所述源漏极层设置于所述导体区上方，所述源漏极层包括源极和漏极。所述像素电极设置于所述源漏极层上方，且与所述源极或所述漏极连接。其中，所述源极和所述漏极分别与所述导体区连接。

在本发明实施例提供的阵列基板中，所述阵列基板还包括遮光层，所述遮光层设置于所述衬底上，且位于所述有源层的下方。

在本发明实施例提供的阵列基板中，所述有源层的宽度小于所述遮光层的宽度。

在本发明实施例提供的阵列基板中，所述有源层的材料包括铟镓锌氧化物、铟锌锡氧化物、铟镓锌锡氧化物中的一种。

在本发明实施例提供的阵列基板中，所述金属接触层的材料包括铝、铜、钼、钛或者其合金。

本发明实施例提供一种阵列基板制备方法，其包括以下步骤：步骤S10、提供一衬底，依次在所述衬底上制备有源层及金属接触层，使用一道光罩对所述有源层和所述金属接触层进行黄光工艺，并对部分所述金属接触层进行氧化处理，使所述金属接触层形成导体区和绝缘区，以定义出所述有源层的沟道区。步骤S20、在所述金属接触层上制备栅极绝缘层，在所述栅极绝缘层上制备栅极层，对所述栅极层和所述栅极绝缘层进行黄光工艺，形成栅极。步骤S30、在所述栅极层上制备层间绝缘层，在所述层间绝缘层上制备源漏极层，对所述源漏极层进行黄光工艺形成源极和漏极，所述源极和所述漏极分别连接到所述导体区。