[发明专利]一种微滤膜及其制备方法、应用有效
申请号: | 202010535026.1 | 申请日: | 2020-06-12 |
公开(公告)号: | CN111531174B | 公开(公告)日: | 2021-09-14 |
发明(设计)人: | 桂万元;林均品;栾本利 | 申请(专利权)人: | 北京科技大学 |
主分类号: | B22F3/11 | 分类号: | B22F3/11;B22F3/10;B22F3/02;B22F3/24;C22C30/00;C22C38/06;C22C38/12;C23C16/06;B01D61/18;B01D61/14;B01D71/02;B01D69/02;B01D67/00 |
代理公司: | 北京中知法苑知识产权代理有限公司 11226 | 代理人: | 李明;赵吉阳 |
地址: | 100083*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 滤膜 及其 制备 方法 应用 | ||
1.一种微滤膜的制备方法,其特征在于,具体步骤包括:
对预设的至少四种金属粉末进行混合并压制成型,以得到压坯;
对所述压坯进行多阶段烧结处理,并控制烧结升温速率处于预设的烧结升温速率范围内,得到微米级多孔支撑体,并在所述微米级多孔支撑体上构筑纳米级三维网状结构,以得到所述微滤膜;其中,在所述微米级多孔支撑体上构筑纳米级三维网状结构包括:所述多阶段烧结处理完成后,采用化学气相沉积工艺在所述微米级多孔支撑体上构筑纳米级三维网状结构。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述对所述压坯进行多阶段烧结处理,并控制烧结升温速率处于预设的烧结升温速率范围内,得到微米级多孔支撑体,包括:
对所述压坯采用四阶段~十二阶段的真空烧结处理,并控制烧结升温速率范围为0.5℃/min~5℃/min,得到所述微米级多孔支撑体。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述采用化学气相沉积工艺在所述微米级多孔支撑体上构筑纳米级三维网状结构,以得到所述微滤膜,包括:
将预设金属在真空下加热汽化,以对所述微米级多孔支撑体进行化学气相沉积,在所述微米级多孔支撑体上构筑形成纳米级三维网状结构,得到所述微滤膜。
4.一种微滤膜的制备方法,其特征在于,具体步骤包括:
对预设的至少四种金属粉末进行混合并压制成型,以得到压坯;
对所述压坯进行多阶段烧结处理,并控制烧结升温速率处于预设的烧结升温速率范围内,得到微米级多孔支撑体,并在所述微米级多孔支撑体上构筑纳米级三维网状结构,以得到所述微滤膜;其中,在所述微米级多孔支撑体上构筑纳米级三维网状结构,以得到所述微滤膜,包括:
在所述多阶段烧结处理的最后一个烧结阶段或在所述多阶段烧结处理完成后,向所述微米级多孔支撑体引入氧化气体,降低烧结阶段的真空度,以使得所述微米级多孔支撑体发生氧化反应,以在所述微米级多孔支撑体上原位构筑纳米级三维网状结构,得到所述微滤膜。
5.根据权利要求1至4任一项所述的方法,其特征在于,所述预设的至少四种金属粉末包括Al以及Si、Ca、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、As、Se、Sr、Y、Zr、Nb、Mo、Tc、Ru、Rh、Pd、Ag、Cd、In、Sn、Sb、Te、Cs、Ba、La、Ce、Pr、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt、Au、Tl、Pb、Bi、Po、At中至少三者混合而成。
6.一种微滤膜,其特征在于,采用权利要求1至5任一项所述的制备方法制得。
7.一种微滤膜的应用,其特征在于,将权利要求6所述的微滤膜应用于常温气/固、常温液/固、高温气/固和高温液/固任一者的两相分离中。
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