[发明专利]一种彩色μLED巨量转移方法在审
申请号: | 202010535346.7 | 申请日: | 2020-06-12 |
公开(公告)号: | CN111769054A | 公开(公告)日: | 2020-10-13 |
发明(设计)人: | 周雄图;陈桂雄;郭太良;张永爱;吴朝兴;孙捷;严群 | 申请(专利权)人: | 福州大学;闽都创新实验室 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/683;H01L27/15 |
代理公司: | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人: | 陈明鑫;蔡学俊 |
地址: | 350108 福建省福州市*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 彩色 led 巨量 转移 方法 | ||
1.一种彩色μLED巨量转移方法,用于多种具有不同发光颜色的μLED芯片的同时巨量转移,其特征在于,该方法包括如下步骤:
步骤S1、将不同发光颜色的μLED芯片分别放置在过渡基板上,所述过渡基板上的μLED芯片的上表面尺寸小于下表面尺寸;
步骤S2、在不同发光颜色的μLED芯片上表面分别修饰不同抗体分子,即每种发光颜色μLED芯片表面修饰有一种抗体分子;
步骤S3、提供一转移装载板,根据转移后μLED芯片所需间距和步骤S1中μLED芯片上表面形状和尺寸在转移装载板上设置装载槽阵列;
步骤S4、在转移装载板表面待转移颜色μLED芯片的装载槽位置修饰与步骤S2中对应颜色μLED芯片的抗体分子对应的抗原分子阵列;
步骤S5、提供一装有抗原分子和抗体分子所用相同溶剂的容器,将修饰有不同抗原分子的转移装载板放置于该溶剂中,批量倒入修饰有不同抗体分子的μLED芯片,进行磁力搅拌,利用抗原抗体反应,不同发光颜色的μLED芯片上表面将分别通过抗原抗体反应嵌入并吸附于对应装载槽中;
步骤S6、将没有良好吸附于装载槽或未落入装载槽的μLED芯片吹出装载板;
步骤S7、重复步骤S5和步骤S6,直至装载有相应发光颜色的μLED芯片的装载槽达到预设数量;
步骤S8、采用光检器件对转移装载板进行检测,判断未装载有μLED芯片的装载槽位置,通过机械手向空置的装载槽内填入相应颜色的μLED芯片;
步骤S9、对μLED芯片进行驱动发光,检测不良μLED芯片,并用良品μLED芯片替换不良μLED芯片;
步骤S10、将转移装载板上的彩色μLED芯片阵列批量转移至对应驱动背板进行焊接和封装。
2.根据权利要求1所述的一种彩色μLED巨量转移方法,其特征在于,步骤S6中,采用溶剂喷洒或风力将没有良好吸附于装载槽或未落入装载槽的μLED芯片吹出装载板。
3.根据权利要求1所述的一种彩色μLED巨量转移方法,其特征在于,步骤S9中,采用直接电学接触电流注入的逐点扫描或无直接电学接触的电场驱动方式对μLED芯片进行驱动发光。
4.根据权利要求1所述的一种彩色μLED巨量转移方法,其特征在于,步骤S9中,通过机械手用良品μLED芯片替换不良μLED芯片。
5.根据权利要求1所述的一种彩色μLED巨量转移方法,其特征在于,所述装载槽的形状与过渡基板上μLED芯片的上表面形状一致,装载槽尺寸大于μLED芯片的上表面尺寸小于下表面尺寸。
6.根据权利要求1所述的一种彩色μLED巨量转移方法,其特征在于,所述μLED芯片的发光颜色数为n,n为自然数且n≥1。
7.根据权利要求1所述的一种彩色μLED巨量转移方法,其特征在于,所述抗原分子和抗体分子种类数分别都为n,并具有特异性,即所用每种抗原分子只与相应的抗体分子反应,与所用其他抗体分子都不反应或者具有排斥效应,n为自然数且n≥1。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造