[发明专利]一种基于磁聚集效应的磁场明暗栅装置

权利要求书

1.一种基于磁聚集效应的磁场明暗栅装置，其特征在于，包括：磁体平台(2)、磁场明暗栅组件(10)和基板(9)，所述磁体平台(2)设置在所述磁场明暗栅组件(10)顶部，所述基板(9)设置在所述磁场明暗栅组件(10)底部；

所述磁场明暗栅组件(10)包含：支撑框架(3)、放大平台(4)、支撑槽(5)、高磁导率软磁隧尖(6)；

所述支撑槽(5)滑动设置在所述支撑框架(3)内，所述支撑槽(5)水平设置，多个所述放大平台(4)滑动设置在所述滑动槽内，所述放大平台(4)底部设置所述高磁导率软磁隧尖(6)。

2.根据权利要求1所述的基于磁聚集效应的磁场明暗栅装置，其特征在于，所述磁体平台(2)设置在支撑框架(3)顶部，所述磁体平台(2)用于放置被测磁体(1)。

3.根据权利要求1所述的基于磁聚集效应的磁场明暗栅装置，其特征在于，所述支撑槽(5)与支撑框架(3)之间通过阻尼材料或阻尼配合滑动连接。

4.根据权利要求1所述的基于磁聚集效应的磁场明暗栅装置，其特征在于，所述高磁导率软磁隧尖(6)形状包括：矩形环、圆环或三角环。

5.根据权利要求1所述的基于磁聚集效应的磁场明暗栅装置，其特征在于，所述基板(9)设置在支撑框架(3)的底部，所述基板(9)上开设有平移滑道(8)，所述平移滑道(8)内滑动设置有磁敏电阻(7)。

6.根据权利要求1所述的基于磁聚集效应的磁场明暗栅装置，其特征在于，所以磁体平台(2)、支撑框架(3)、支撑槽(5)、放大平台(4)、平移滑道(8)、基板(9)的材料采用对磁场无干扰的材料，包括：酚醛塑料、聚氨酯塑料、环氧塑料、不饱和聚酯塑料、呋喃塑料、有机硅树脂、丙烯基树脂、铜、铂。

7.根据权利要求1所述的基于磁聚集效应的磁场明暗栅装置，其特征在于，所述高磁导率软磁隧尖(6)的材料包括：MnZnt铁氧体、NiFe系合金。