[发明专利]一种半导体结构的形成方法在审
| 申请号： | 202010535906.9 | 申请日： | 2020-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN113808929A | 公开（公告）日： | 2021-12-17 |
| 发明（设计）人： | 李洋;邓世琪;严利均;刘志强 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/027;H01L21/033;H01L21/311;H01L27/11556;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 上海元好知识产权代理有限公司 31323 | 代理人： | 张妍;章丽娟 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 形成 方法 | ||
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
提供衬底，所述衬底表面具有掩膜层，所述掩膜层表面具有图形层，所述图形层内具有图形开口，所述图形开口底部暴露出所述掩膜层的顶部表面；
以所述图形层为掩膜，刻蚀所述图形开口底部的部分掩膜层，在所述掩膜层内形成第一开口；
形成所述第一开口之后，在所述第一开口顶角的周围形成保护层；
以所述保护层为掩膜，刻蚀所述第一开口底部的掩膜层，直至暴露出所述衬底的顶部表面，在所述掩膜层内形成第二开口。
2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述衬底包括基底和位于基底上交替堆叠的氧化层和氮化层；所述氧化层的材料包括：氧化硅；所述氮化层的材料包括：氮化硅。
3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述保护层的材料与掩膜层的材料相同。
4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述保护层的材料与掩膜层的材料不同。
5.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述掩膜层的材料包括：无定形碳；所述保护层的材料包括：氧化硅、氮化硅或有机聚合物。
6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述保护层的厚度与所述第一开口底部的掩膜层的厚度成正比。
7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述保护层的形成方法包括：等离子体喷涂工艺。
8.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述等离子体喷涂采用的压力值小于30毫托。
9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述图形层包括：位于所述掩膜层表面的介质抗反射涂层、位于介质抗反射涂层上的底部抗反射涂层以及位于底部抗反射涂层表面的光刻胶层。
10.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述衬底与所述掩膜层之间具有停止层，所述第二开口底部暴露出所述停止层的表面。
11.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第二开口之后，还包括：去除所述保护层。
12.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第二开口之后，还包括：以所述掩膜层为掩膜，刻蚀所述第二开口底部交替堆叠的氧化层和氮化层，直至暴露出所述基底的顶部表面，在交替堆叠的氧化层和氮化层内形成通孔。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
