[发明专利]一种半导体结构及其研磨方法

说明书

本申请实施例提供了一种半导体结构及其研磨方法，提供待测结构，待测结构上可以包括衬底，以及衬底上的电路结构层，在电路结构层上形成覆盖层，从待测结构的侧壁对衬底、电路结构层及覆盖层进行同时研磨，覆盖层在研磨过程中保护电路结构层的上表面边缘，这样电路结构层位于衬底之上以及覆盖层之下，因此处于待测结构的整个侧壁的中部，研磨过程中仅会对整个半导体结构的上方表面边缘和下方表面边缘造成损伤，因此电路结构的上表面边缘受到上层的覆盖层，下表面边缘受到下层的衬底的保护，因此电路结构层的侧壁表面是平整的，利于提高检测准确性。

技术领域

本申请涉及半导体器件及其制造领域，特别涉及一种半导体结构及其研磨方法。

背景技术

在芯片制备完成后，可以进行截面制样，以获取芯片内部的结构，具体的，可以从芯片的侧壁进行研磨，以得到纵向的截面，该截面中可以体现芯片内部纵向的电路结构，从而实现对芯片的检测。

目前，可以将芯片粘贴在样品台柱上，而后利用砂纸和抛光布对芯片的侧壁进行研磨，在打磨到一定的平整度后进行截面的检测。然而，这种研磨方式得到的截面往往不够平整，影响检测结果。

发明内容

有鉴于此，本申请的目的在于提供一种半导体结构及其研磨方法，提高了研磨得到的截面的平整度，提高检测准确性。

为实现上述目的，本申请有如下技术方案：

本申请实施例提供了一种半导体结构的研磨方法，包括：

提供待测结构；所述待测结构包括衬底，以及所述衬底上的电路结构层；

在所述电路结构层上形成覆盖层；

从侧壁对所述待测结构及所述覆盖层进行研磨，所述覆盖层在研磨过程中保护所述电路结构层的上表面边缘。

可选的，所述覆盖层为聚酰亚胺。

可选的，所述在所述电路结构层上形成覆盖层，包括：

利用旋涂工艺或沉积工艺在所述电路结构层上形成覆盖层。

可选的，利用旋涂工艺在所述电路结构层上形成覆盖层，具体包括：

混合聚酰胺酸和醋酸酐形成前驱体溶液；

将所述前驱体溶液滴加在所述电路结构层表面；

利用旋涂仪使所述前驱体溶液涂覆于所述电路结构层表面；

对所述待测结构进行加热，得到所述电路结构层表面的覆盖层。

可选的，所述覆盖层的厚度范围为1-10微米。

可选的，所述方法还包括：

对研磨后的侧壁表面进行检测。

可选的，所述从侧壁对所述待测结构及所述覆盖层进行研磨，通过抛光布和/或砂纸。

本申请实施例还提供了一种半导体结构，包括：

衬底；

所述衬底上的电路结构层；

在所述电路结构层上的覆盖层，所述覆盖层用于保护所述电路结构层的上表面边缘。

可选的，所述覆盖层为聚酰亚胺。

可选的，所述覆盖层的厚度范围为1-10微米。