[发明专利]钙钛矿薄膜的制备方法、钙钛矿薄膜以及太阳能电池器件

权利要求书

1.一种钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

a）将钙钛矿制成靶材，其中，所述钙钛矿为MAPbI₃钙钛矿粉末或MAPbI₃和PbCl₂混合粉末；

b）使用步骤a）中获得的所述靶材，利用磁控溅射仪进行溅射，得到未处理薄膜；

c）对步骤b）得到的薄膜进行后处理，所述后处理包括真空状态下进行碘甲胺气相处理和惰性气体氛围下进行甲胺气体处理，随后进行退火、冷却，得到钙钛矿薄膜。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤b）中的所述磁控溅射仪的输出电压范围为-1500~+1500V，所述输出电压波形可控。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤b）中的所述溅射时的压强为2-15Pa，输出电压的峰值为100-1200V。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤c）中使用碘甲胺进行气相处理，处理温度为50~150℃，退火处理时间为0.5~5h。

5.根据权利要求1-4任一项所述的制备方法，其特征在于，在步骤c）中的气相处理后，在常温惰性气体氛围下，对钙钛矿薄膜进行甲胺气体处理。

6.根据权利要求1-4任一项所述的制备方法，其特征在于，所述磁控溅射仪具有可调的放电电压，其中，输出电压波形为正弦波、锯齿波、三角波或方波，所述磁控溅射仪的输出电压范围为-1500~+1500V。

7.根据权利要求1-4任一项所述的制备方法，其特征在于，所述磁控溅射仪具有可调的放电电压，其中，输出电压波形为直流波，所述磁控溅射仪的输出电压范围为-1500~+1500V。

8.根据权利要求1-4任一项所述的制备方法，其特征在于，所述磁控溅射仪具有可调的放电电压，其中，输出电压波形为脉冲波，所述磁控溅射仪的输出电压范围为-1500~+1500V。

9.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述钙钛矿为MAPbI₃钙钛矿单晶。

10.一种钙钛矿薄膜，其特征在于，其是根据权利要求1-9任一项所述的钙钛矿薄膜的制备方法制备得到的。

11.一种太阳能电池器件，其特征在于，其具有权利要求10所述的钙钛矿薄膜。