[发明专利]一种用于制备高纯六氟化钨的吸附塔在审
申请号: | 202010536513.X | 申请日: | 2020-06-12 |
公开(公告)号: | CN111729468A | 公开(公告)日: | 2020-10-02 |
发明(设计)人: | 林坤;张长金;王占卫;杨万吉;马朝选;王亚峰;郑秋艳;张琴 | 申请(专利权)人: | 中船重工(邯郸)派瑞特种气体有限公司 |
主分类号: | B01D53/06 | 分类号: | B01D53/06;B01D46/10;B01D46/00;C01G41/04 |
代理公司: | 北京理工大学专利中心 11120 | 代理人: | 周蜜;仇蕾安 |
地址: | 057550 河北省邯*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 制备 高纯 氟化 吸附 | ||
本发明涉及一种用于制备高纯六氟化钨的吸附塔,属于六氟化钨制备技术领域。所述吸附塔包括吸附塔本体、吸附剂、上料机构以及出料机构,还可以包括搅拌机构、循环利用机构和清理机构中的至少一种,吸附塔本体内由上至下依次设有挡网、过滤网,挡网上填充能够吸附HF的吸附剂颗粒,过滤网用于过滤颗粒状杂质,上料机构用于向吸附塔本体内加入新的吸附剂颗粒,出料机构用于将挡网上填充的吸附剂底部使用率高的吸附剂颗粒排出,搅拌机构用于搅拌挡网上填充的吸附剂颗粒,循环利用机构用于对排出的吸附剂颗粒进行脱附以循环利用,清理机构用于清理过滤网。本发明所述吸附塔通过合理的结构设计,能够大大提高吸附剂的利用率,并且能够提高吸附效果。
技术领域
本发明涉及一种用于制备高纯六氟化钨的吸附塔,属于六氟化钨制备技术领域。
背景技术
六氟化钨在电子工业中主要用作金属钨化学气相沉积(CVD)工艺的原材料,用WF6制成的WSi2可用作大规模集成电路(LSI)中的配线材料。随着电子工业产品精密化程度的提高,也对作为原材料的WF6的纯度提出了极高的要求,当要求纯度达到99.999%以上时,必须对工业品WF6进行净化提纯以适应半导体行业需求。
高纯六氟化钨的制备往往需要对其含有的金属杂质以及HF进行过滤,目前一般采用吸附塔对六氟化钨中HF进行吸附,利用吸附塔内填充的吸附剂颗粒吸附除去HF,但目前吸附塔内填充的吸附剂底部的利用率远远大于顶部的,从而影响吸附效果。
发明内容
针对现有技术中存在的不足,本发明提供一种用于制备高纯六氟化钨的吸附塔,主要是通过将吸附剂底部使用率高的吸附剂颗粒推出,同时加入新的吸附剂颗粒,不仅可以大大提高吸附剂的利用率,而且能够提高吸附效果。
本发明的目的是通过以下技术方案实现的。
一种用于制备高纯六氟化钨的吸附塔,所述吸附塔包括吸附塔本体、吸附剂、上料机构以及出料机构;
所述吸附塔本体内从上至下依次设有挡网以及过滤网,挡网上填充有吸附剂,所述过滤网用于过滤六氟化钨中的颗粒状杂质;在过滤网下方的吸附塔本体上安装有进气管,在挡网上方且紧挨着挡网处的吸附塔本体侧壁上设有出料口,出料口内安装有阀门,在填充的吸附剂上方的吸附塔本体上设有进料口以及安装有出气管;
所述吸附剂为颗粒状,用于吸附六氟化钨中的HF;
所述上料机构与进料口相配合,用于向吸附塔本体内加入新的吸附剂颗粒;
所述出料机构与出料口相配合,用于将吸附塔本体内填充的吸附剂底部的吸附剂颗粒排出;
在进料机构和出料机构的配合作用下,能够将填充的吸附剂底部使用率高的吸附剂颗粒排出,同时加入新的吸附剂颗粒,能够保证吸附效果。
进一步地,吸附剂颗粒选用氟化钠颗粒。
进一步地,所述上料机构包括储料箱、螺旋输送机、进料筒、第一气缸和第一推板;
进料筒的一端安装有第一气缸,进料筒的另一端与进料口连接;储料箱与进料筒之间通过螺旋输送机连接;第一推板位于进料筒的内部且与第一气缸的伸缩末端固定连接,与进料筒内壁接触的第一推板外壁上套设有密封圈;
未进料时,第一推板位于接近进料口的进料筒一端;进料时,先通过第一气缸拉动第一推板至远离进料口的进料筒一端,然后通过螺旋输送机将储料箱中储存的新的吸附剂颗粒输送到进料筒中,再通过第一气缸推动第一推板将进料筒中新的吸附剂颗粒推入吸附塔本体内。
进一步地,所述出料机构包括第二气缸和第二推板;
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