[发明专利]晶体生长炉

权利要求书

1.一种晶体生长炉，包括腔室、坩埚及通气结构，所述坩埚设置于所述腔室内，其特征在于，

所述通气结构包括通气管路和设置在所述腔室中的汇流室；所述通气管路的进气口开设于所述腔室的底壁上，所述通气管路穿过所述腔室的底壁，与所述汇流室相连通；所述汇流室设置于所述坩埚的下方，与所述坩埚的底壁固定连接，用以将所述通气管路内的工艺气体汇聚至所述坩埚的底壁，且所述工艺气体原子可直接从所述坩埚的底壁渗入所述坩埚内。

2.根据权利要求1所述的晶体生长炉，其特征在于，所述汇流室包括底壁和侧壁，所述侧壁固定设置于所述坩埚的底壁上；所述底壁和侧壁与所述坩埚的底壁围合成用于容纳所述工艺气体的空间。

3.根据权利要求2所述的晶体生长炉，其特征在于，所述汇流室的底壁上开设有通孔，所述通孔与所述通气管路相连通。

4.根据权利要求2所述的晶体生长炉，其特征在于，所述坩埚包括坩埚侧壁和设置于所述坩埚下部、且与所述坩埚侧壁连接的隔挡件，所述隔挡件与所述坩埚的底壁为同一部件。

5.根据权利要求4所述的晶体生长炉，其特征在于，所述隔挡件与所述坩埚侧壁之间螺纹连接。

6.根据权利要求4或5所述的晶体生长炉，其特征在于，所述隔挡件的底面上开设有多个凹槽，用于增加所述工艺气体与所述隔挡件的接触面积；所述凹槽的槽口向下，朝向所述汇流室。

7.根据权利要求6所述的晶体生长炉，其特征在于，所述隔挡件为圆形挡板，所述凹槽为圆形槽。

8.根据权利要求7所述的晶体生长炉，其特征在于，多个所述凹槽均布于所述隔挡件的底面上，且每个所述凹槽的底面圆心与所述隔挡件的圆心之间距离相同。

9.根据权利要求4所述的晶体生长炉，其特征在于，所述隔挡件的厚度小于所述坩埚侧壁的厚度。

10.根据权利要求4所述的晶体生长炉，其特征在于，所述工艺气体为氢气，所述坩埚为石墨坩埚，且所述隔挡件为石墨材质。