[发明专利]超声换能器制备方法、超声换能器及信息采集元件

权利要求书

1.一种超声换能器制备方法，其特征在于，包括：

在载片晶圆上形成未经图形化处理的第一电极层；

在所述第一电极层的第一表面上形成压电层，所述第一电极层的第一表面在所述第一电极层远离所述载片晶圆的一侧；

在所述压电层的第一表面上形成第二电极层，并对所述第二电极层进行图形化处理，形成第二电极，所述压电层的第一表面在所述压电层远离所述第一电极层的一侧；

将在所述第二电极的第一表面上形成的支撑振膜层与基底层的第一表面进行键合，并去除所述载片晶圆，所述第二电极的第一表面在所述第二电极远离所述压电层的一侧；

对所述第一电极层进行图形化处理，以形成第一电极。

2.根据权利要求1所述的超声换能器制备方法，其特征在于，所述将在所述第二电极的第二表面形成的支撑振膜层与基底层的第一表面进行键合，并去除所述载片晶圆，包括：

在所述第二电极的第一表面上形成支撑振膜层；

在所述支撑振膜层上形成第一凹槽；

将所述支撑振膜层与所述基底层的第一表面进行键合，以使得所述支撑振膜层与所述基底层在所述第一凹槽处形成空腔，并去除所述载片晶圆。

3.根据权利要求1所述的超声换能器制备方法，其特征在于，所述将在所述第二电极的第二表面形成的支撑振膜层与基底层进行键合，并去除所述载片晶圆，包括：

在所述第二电极的第一表面上形成支撑振膜层；

将所述支撑振膜层与带有第二凹槽的基底层的第一表面进行键合，以使得所述支撑振膜层与所述基底层在所述第二凹槽处形成空腔，并去除所述载片晶圆。

4.根据权利要求1所述的超声换能器制备方法，其特征在于，所述对所述第一电极层进行图形化处理，以形成第一电极之后，所述方法还包括：

在所述第一电极的第二表面形成钝化保护层。

5.根据权利要求4所述的超声换能器制备方法，其特征在于，所述在所述第一电极的第二表面形成钝化保护层之后，所述方法还包括：

在所述钝化保护层覆盖所述第一电极的位置上形成贯穿所述钝化保护层，并到达所述第一电极的第一开孔；

在所述第一开孔处进行线路层沉积和图形化处理，使得所述第一电极通过所述第一开孔与外部连接。

6.根据权利要求4所述的超声换能器制备方法，其特征在于，所述在所述第一电极的第二表面形成钝化保护层之后，所述方法还包括：

在所述钝化保护层覆盖所述第二电极且未覆盖所述第一电极的位置上，形成贯穿所述钝化保护层和所述压电层，并到达所述第二电极的第二开孔；

在所述第二开孔处进行线路层沉积和图形化处理，使得所述第二电极通过所述第二开孔与外部连接。

7.根据权利要求4所述的超声换能器制备方法，其特征在于，所述在所述第一电极的第二表面形成钝化保护层之后，所述方法还包括：

在所述钝化保护层未覆盖所述第一电极及所述第二电极的位置上形成贯穿所述钝化保护层、所述压电层和所述支撑振膜层并到达所述基底层的电极的第三开孔，以使所述基底层的电极的第一表面暴露在所述第三开孔内；

在所述第三开孔处进行线路层沉积和图形化处理，以使得所述基底层的电极通过所述第三开孔与外部连接。

8.根据权利要求1所述的超声换能器制备方法，其特征在于，所述对所述第一电极层进行图形化处理，以形成第一电极之后，所述方法还包括：

在所述压电层未覆盖所述第一电极的位置上形成延伸至所述第二电极的第四开孔，以使所述第二电极的第一表面暴露在所述第四开孔内；

在所述第一电极的第二表面形成钝化保护层，并在所述钝化保护层与所述第四开孔对应的位置，形成贯穿所述钝化保护层，并与所述第四开孔连通的第五开孔；

在所述第四开孔及所述第五开孔处进行线路层沉积和图形化处理，使得所述第二电极通过所述第四开孔及所述第五开孔与外部连接。