[发明专利]一种改善反应过程中反射功率稳定性的等离子体发生装置在审
| 申请号： | 202010538982.5 | 申请日： | 2020-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN113802113A | 公开（公告）日： | 2021-12-17 |
| 发明（设计）人： | 张亚梅;姜崴;苏欣;蔡新晨 | 申请（专利权）人： | 拓荆科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/509 | 分类号： | C23C16/509;C23C16/458;C23C16/455;C23C16/26 |
| 代理公司： | 沈阳维特专利商标事务所(普通合伙) 21229 | 代理人： | 李娜 |
| 地址： | 110179 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 改善 反应 过程 反射 功率 稳定性 等离子体 发生 装置 | ||
1.一种改善反应过程中反射功率稳定性的等离子体发生装置，其特征在于：包括一反应腔室，该腔室内设有上下极板；所述上极板由上至下依次设有腔体上盖板、挡板及喷淋头；挡板与喷淋头均与上盖板连接；所述的下极板包括载物台，载物台上设有晶圆支撑装置；
该支撑装置为环形状，内侧具有凹台阶，该凹台阶半径及晶圆半径差值d在1.65mm～1.85mm。
2.如权利要求1所述的一种改善反应过程中反射功率稳定性的等离子体发生装置，其特征在于：薄膜是含碳的陶瓷薄膜。
3.如权利要求1所述的一种改善反应过程中反射功率稳定性的等离子体发生装置，其特征在于：所述挡板直径为336mm，上面设有呈三角形阵列分布的通孔，该孔径不超过3mm。
4.如权利要求1所述的一种改善反应过程中反射功率稳定性的等离子体发生装置，其特征在于：所述挡板的三角形排列的重复单元边长不小于10mm，通孔直径1mm。
5.如权利要求1所述的一种改善反应过程中反射功率稳定性的等离子体发生装置，其特征在于：所述的挡板与腔体盖板多处偶接，且挡板边缘处通过垫片加固与腔体上盖板的连接。
6.如权利要求1所述的一种改善反应过程中反射功率稳定性的等离子体发生装置，其特征在于：所述的喷淋头中心处为向下凹进设计，边缘处与腔体上盖板偶接。
7.如权利要求1所述的一种改善反应过程中反射功率稳定性的等离子体发生装置，其特征在于：所述的挡板与喷淋头之间的间距为10-15mm。
8.如权利要求1所述的一种改善反应过程中反射功率稳定性的等离子体发生装置，其特征在于：所述支撑装置是由具有改善介电性能的材料制成。
9.如权利要求8所述的一种改善反应过程中反射功率稳定性的等离子体发生装置，其特征在于：所述支撑装置是由LLT陶瓷制成。
10.如权利要求1-9所述的一种改善反应过程中反射功率稳定性的等离子体发生装置，其特征在于：该发生装置基于粗真空运行环境，温度低于400度。
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C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
