[发明专利]半导体装置

说明书

本发明提供一种能够谋求发射极或源极的寄生电感的降低的半导体装置。在基板设置有至少一个晶体管。该晶体管是包括发射极、基极以及集电极的双极晶体管、或者包括源极、栅极以及漏极的场效应晶体管。在基板设置有与发射极或源极连接的至少一个第1凸块。还设置有与集电极或漏极连接的至少3个第2凸块。在俯视下，在以第2凸块各自的几何中心为顶点的多边形的内侧配置有至少一个第1凸块的几何中心。

技术领域

本发明涉及半导体装置。

背景技术

对于功率放大器的放大级，使用发射极接地的双极晶体管(特别是，异质结双极晶体管)或源极接地的场效应晶体管(FET)。在被面朝下安装(face-down mounted)的半导体芯片中，在基板上设置与双极晶体管的发射极或FET的源极连接的接地凸块、以及与双极晶体管的集电极或FET的漏极连接的输出凸块(例如，下述的专利文献1)。

一般地，发射极或源极的寄生电感会使功率放大器的增益、频带特性劣化，因此期望使寄生电感降低。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：JP特开2005-327805号公报

为了使发射极或源极的寄生电感降低，通过将接地凸块配置在晶体管的附近，从而使发射极电流或源极电流所流过的电流路径的自电感降低。随着晶体管的动作频率变高，期望发射极或源极的寄生电感的进一步降低。

发明内容

发明要解决的课题

本发明的目的在于，提供一种能够谋求发射极或源极的寄生电感的降低的半导体装置。

用于解决课题的手段

根据本发明的一个观点，提供一种半导体装置，

具有设置于基板的至少一个晶体管，所述晶体管是包括发射极、基极以及集电极的双极晶体管、或者包括源极、栅极以及漏极的场效应晶体管，所述半导体装置还具有：

至少一个第1凸块，设置于所述基板，并与所述发射极或所述源极连接；和

至少3个第2凸块，设置于所述基板，并与所述集电极或所述漏极连接，

在俯视下，在以所述第2凸块各自的几何中心为顶点的多边形的内侧，配置有至少一个所述第1凸块的几何中心。

发明效果

如上所述，通过配置第2凸块以及第1凸块，从而能够谋求发射极或源极的寄生电感的降低。

附图说明

图1是基于第1实施例的半导体装置的等效电路图。

图2是示出基于第1实施例的半导体装置的各构成要素的平面布局的图。

图3A是示出4个接地凸块和4个输出凸块的位置关系的俯视图，图3B是图3A的单点划线3B-3B处的半导体装置以及模块基板的剖视图。

图4是示出基于比较例的模拟对象的半导体装置的各构成要素的平面布局的图。

图5是示出基于实施例以及比较例的半导体装置的输出与增益的关系的模拟结果的曲线图。

图6A以及图6B是示出俯视下的接地凸块与输出凸块的位置关系的示意图。

图7A、图7B以及图7C是示出俯视下的接地凸块与输出凸块的位置关系的示意图。

图8是示出俯视下的接地凸块与输出凸块的位置关系的示意图。

图9是示出基于第2实施例的半导体装置的接地凸块、输出凸块等的俯视下的位置关系的示意图。