[发明专利]数据存取系统和操作数据存取系统的方法在审

专利信息
申请号: 202010540501.4 申请日: 2020-06-15
公开(公告)号: CN113808642A 公开(公告)日: 2021-12-17
发明(设计)人: 张家荣;蔡秋云;徐辅擎 申请(专利权)人: 瑞昱半导体股份有限公司
主分类号: G11C16/04 分类号: G11C16/04;G11C16/06;G11C29/42
代理公司: 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 代理人: 王勇;王博
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 数据 存取 系统 操作 方法
【权利要求书】:

1.一种数据存取系统,包含:

快闪存储器,包含多个区块;

第一反向电路,耦接于所述快闪存储器,用以接收这些区块中一第一区块所储存的多笔第一数据,并将这些笔第一数据的数值反向以产生多笔第一反向数据;

区块暂存存储器,耦接于所述第一反向电路,用以储存这些笔第一反向数据;

错误检查和纠正电路,耦接于所述第一反向电路和所述区块暂存存储器,用以判断这些笔第一反向数据是否可修正,以及当判断这些笔第一反向数据为可修正时,修正储存在所述区块暂存存储器中的至少一笔第一反向数据;

第二反向电路,耦接于所述区块暂存存储器,用以接收所述区块暂存存储器中的这些笔第一反向数据,并将这些笔第一反向数据的数值反向以产生多笔第一还原数据;以及

应用电路,用以接收这些笔第一还原数据,并根据这些笔第一还原数据执行对应操作。

2.如权利要求1所述的数据存取系统,其中当所述第一区块尚未被写入时,储存在所述第一区块中的这些笔第一数据都具有第一数值。

3.如权利要求2所述的数据存取系统,还包含比较电路,耦接于所述第二反向电路,用以判断这些笔第一还原数据是否都具有所述第一数值,以判断所述第一区块是否尚未被写入。

4.如权利要求1所述的数据存取系统,其中所述应用电路是双倍数据速率存储器。

5.如权利要求1所述的数据存取系统,还包含第三反向电路,耦接于所述应用电路,用以将所述应用电路传来的多笔第二数据反向以产生多笔第二反向数据。

6.如权利要求5所述的数据存取系统,其中所述错误检查和纠正电路还耦接于所述第三反向电路,用以根据这些笔第二反向数据产生多个错误校验码。

7.如权利要求6所述的数据存取系统,还包含第四反向电路,耦接于所述快闪存储器,用以将这些错误校验码反向以产生多个反向错误校验码。

8.如权利要求7所述的数据存取系统,还包含多路复用器,耦接于所述第三反向电路、所述错误检查和纠正电路和所述第四反向电路,用以根据控制信号将所述第三反向电路传来的这些笔第二反向数据或这些错误校验码传输至所述第四反向电路。

9.如权利要求8所述的数据存取系统,其中所述第四反向电路还用以将这些笔第二反向数据反向以产生多笔第二还原数据,以及将这些笔第二还原数据和与这些笔第二还原数据相对应的这些反向错误检查和纠正校验码储存至所述快闪存储器中的第二区块。

10.如权利要求1所述的数据存取系统,其中所述快闪存储器是NAND型快闪存储器。

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