[发明专利]一种手性MoS2

说明书

本发明公开一种手性MoS₂纳米片及其制备方法。所述制备方法包括以下步骤：(1)分别配置好MoO₃溶液、Na₂S溶液和L/D‑Cysteine溶液；(2)在L/D‑Cysteine溶液中入MoO₃溶液和Na₂S溶液，加入HCl调节pH值至6.0‑6.5，所得溶液即为含手性MoS₂纳米片的溶液。本发明采用溶液法合成手性MoS₂纳米片，原料廉价易得，不需高温、高压，不需复杂的合成装置，制备方法简单，可以迅速大量合成具有手性特征、结构稳定的MoS₂纳米片材料。

技术领域

本发明涉及二维纳米材料制备技术领域，具体涉及一种手性MoS₂纳米片及其制备方法，适用于简易具有手性的MoS₂纳米片。

背景技术

MoS₂纳米片是一种由块体MoS₂剥离而来的二维材料，具有类似石墨烯的结构。由于其独特的结构及优异的电学、热学和机械学性能，使其在电子器件、催化材料、电池、气体传感器及气体存储等领域有广泛的应用前景。由于Mo元素的生物相容性强，生物毒性小，故MoS₂纳米片在光学、电学、生物医药学等方面有着广阔的应用潜力。MoS₂纳米片在生物载药、光热、光动力治疗等领域是一种潜在的生物医学基底材料，手性MoS₂纳米片在生物医学领域有着重要的应用前景。

到目前为止，大量的研究开发了多种多样的二维过渡金属硫化物制备方法。大体可分为自上而下(top-down)和自下而上(bottom-up)两大类。自上而下的制备方法主要包括机械剥离法、液相剥离法、离子插层法和薄化法等，自下而上的制备方法主要包括化学气相沉积法和溶液合成法等。机械剥离法能制备出晶体质量最高的纳米片；但是，这种制备方法的产率很低，并且需要经过培训的专业技术人员在光学显微镜下进行长时间仔细的搜索。机械剥离法制备的纳米片随机分布在基底上，并且其横向尺寸和厚度之间没有相关性。气相沉积，减薄和液相剥落均能制备出中等晶体质量的纳米片。气相沉积法也能独立的控制纳米片的厚度和横向尺寸。在液相剥落法和减薄法中，所生产的纳米片越厚，它们的横向尺寸将越大。尽管这三种制备方法所生产的纳米片的晶体质量相似，但其制备产率差别很大，其中液相剥离法的制备产率最高，减薄法的制备产率最低。溶液合成法和插层制备法生产的纳米片的晶体质量都比较差，一般都会存在结构缺陷和晶体变形。溶液合成法具有中等产率，而插层制备法具有较高的产率。综合来看，溶液合成法是较为均衡的合成方法。

手性纳米材料通常是使用手性分子去修饰制成的纳米材料，而由于成品的MoS₂纳米片成本较高，不具有经济适用性。通过在溶液合成法合成MoS₂纳米片的同时掺入手性分子将有效提高经济性。

发明内容

鉴于现有技术中存在的问题，本发明目的在于克服现有技术的不足，提出一种手性MoS₂纳米片的制备方法，在溶液合成法合成MoS₂纳米片的同时掺入手性分子，从而制备出手性MoS₂纳米片。

本发明的技术方案是一种手性MoS₂纳米片的制备方法，包括如下步骤：

(1)将手性氨基酸分散于水中，手性氨基酸溶液的浓度为0.5-1mg/mL。

(2)将MoO₃粉末分散于水中，其浓度0.2-0.4mol/L。

(3)将Na₂S粉末分散于水中，其浓度0.5-1mol/L。

(4)将一定体积MoO₃溶液和一定体积Na₂S溶液加入手性氨基酸溶液中，磁力搅拌混匀。