[发明专利]一种硅基碲化镉复合衬底预处理方法

权利要求书

1.一种硅基碲化镉复合衬底预处理方法，其特征在于，包括：

硅基碲化镉高温退火后，在所述硅基碲化镉上生长预设厚度的碲化镉层，得到硅基碲化镉复合衬底；

对所述硅基碲化镉复合衬底进行超声清洗；

对超声清洗后的硅基碲化镉复合衬底在溴甲醇腐蚀液中进行湿化学腐蚀处理；

去除所述硅基碲化镉复合衬底表面试剂残留，得到处理后的硅基碲化镉复合衬底；

通过复合衬底上增加形成预设厚度碲化镉层，不经退火，然后将增加的碲化镉层除减小表面粗糙度有益效用的厚度外，控制腐蚀条件将形成的预设厚度碲化镉层全部去除。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述预设厚度为0.08-0.12μm。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述硅基碲化镉上生长预设厚度的碲化镉层之后，对所述硅基碲化镉复合衬底进行超声清洗之前，还包括：

对所述硅基碲化镉复合衬底进行筛选测试，筛选出合格的硅基碲化镉复合衬底。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，对所述硅基碲化镉复合衬底进行超声清洗，包括：

将筛选合格的硅基碲化镉复合衬底在丙酮中进行超声清洗10～15分钟，取出后，使用丙酮冲洗30～60秒。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述溴甲醇腐蚀液中溴甲醇浓度为0.01～0.1％。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，

所述溴甲醇腐蚀液的温度为30～40℃。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述湿化学腐蚀处理的时间为60～70s。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，去除所述硅基碲化镉复合衬底表面试剂残留，包括：

使用甲醇漂洗所述硅基碲化镉复合衬底3～5分钟，以去除所述硅基碲化镉复合衬底表面的残留的试剂。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，去除所述硅基碲化镉复合衬底表面试剂残留之后，还包括：

使用氮气枪吹干所述硅基碲化镉复合衬底表面。