[发明专利]补偿电路及其补偿方法、像素电路以及显示装置

权利要求书

1.一种补偿电路，其特征在于，包括电荷存储模块(8)、驱动模块(7)、第一开关模块(1)、第二开关模块(2)、第三开关模块(3)、第四开关模块(4)、第五开关模块(5)以及第六开关模块(6)；

所述电荷存储模块(8)的第一端、第二端分别与第一节点(N1)、第二节点(N2)电连接；

所述驱动模块(7)的第一端、第二端、第三端分别与第二节点(N2)、第三节点(N3)、第四节点(N4)电连接；

所述第一开关模块(1)的第一端用于与第一开关控制信号端(S1)电连接，所述第一开关模块(1)的第二端、第三端分别与第二节点(N2)、第四节点(N4)电连接；

所述第二开关模块(2)的第一端、第二端分别用于与第二开关控制信号端(S3)、数据信号端(VData)电连接，所述第二开关模块(2)的第三端与第三节点(N3)电连接；

所述第三开关模块(3)的第一端、第二端分别用于与第一开关控制信号端(S1)、初始信号端(Vr)电连接，所述第三开关模块(3)的第三端与第一节点(N1)电连接；

所述第四开关模块(4)的第一端、第二端分别用于与第四开关控制信号端(S4)、第一电压端(VDD)电连接，所述第四开关模块(4)的第三端与第一节点电连接；

所述第五开关模块(5)的第一端、第二端分别用于与第三开关控制信号端(S2)、第一电压端(VDD)电连接，所述第五开关(5)的第三端与第三节点(N3)电连接；

所述第六开关模块(6)的第一端用于与第三开关控制信号端(S2)电连接，所述第六开关模块(6)的第二端与第四节点电连接，所述第六开关模块(6)的第三端与工作端电连接。

2.如权利要求1所述的补偿电路，其特征在于，所述电荷存储模块(8)包括电容(Cst)；

所述电容(Cst)的第一极、第二极，分别作为所述电荷存储模块(8)的第一端和第二端。

3.如权利要求1所述的补偿电路，其特征在于，所述驱动模块(7)包括第七晶体管(TD)；

所述第七晶体管(TD)的控制极、第一极、第二极，分别作为所述驱动模块(7)的第一端、第二端、第三端。

4.如权利要求1所述的补偿电路，其特征在于，所述第一开关模块(1)包括第一晶体管(T1)，所述第一晶体管(T1)的控制极、第一极、第二极，分别作为所述第一开关模块(1)的第一端、第二端、第三端；

所述第二开关模块(2)包括第二晶体管(T2)，所述第二晶体管(T2)的控制极、第一极、第二极，分别作为所述第二开关模块(2)的第一端、第二端、第三端；

所述第三开关模块(3)包括第三晶体管(T3)，所述第三晶体管(T3)的控制极、第一极、第二极，分别作为所述第三开关模块(3)的第一端、第二端、第三端；

所述第四开关模块(4)包括第四晶体管(T4)，所述第四晶体管(T4)的控制极、第一极、第二极，分别作为所述第四开关模块(4)的第一端、第二端、第三端；

所述第五开关模块(5)包括第五晶体管(Ts)，所述第五晶体管(Ts)的控制极、第一极、第二极，分别作为所述第五开关模块(5)的第一端、第二端、第三端；

所述第六开关模块(6)包括第六晶体管(Tsl)，所述第六晶体管(Tsl)的控制极、第一极、第二极，分别作为所述第六开关模块(6)的第一端、第二端、第三端。

5.如权利要求3或4所述的补偿电路，其特征在于，所述晶体管均为薄膜晶体管，每一所述晶体管的控制极为所述薄膜晶体管的栅极；

所述晶体管的第一极为所述薄膜晶体管的源极，所述晶体管的第二极为所述薄膜晶体管的漏极。

6.如图权利要求3或4所述的补偿电路，其特征在于，所述晶体管均为薄膜晶体管，每一所述晶体管的控制极为所述薄膜晶体管的栅极；所述晶体管的第一极为所述薄膜晶体管的漏极，所述晶体管的第二极为所述薄膜晶体管的源极。