[发明专利]一种基于桥式电路的SiC MOSFET门极辅助电路

权利要求书

1.一种基于桥式电路的SiC MOSFET门极辅助电路，其特征在于，包括驱动回路、负压产生模块和串扰抑制模块；其中，桥式电路包括多个SiC MOSFET，各SiC MOSFET分别串接于桥式电路中各依次相邻接的桥臂中，各SiC MOSFET的栅极与源极之间设有驱动回路，驱动回路与负压产生模块串联，驱动回路与串扰抑制模块并联。

2.根据权利要求1所述的一种基于桥式电路的SiC MOSFET门极辅助电路，其特征在于，驱动回路包括电源模块（V_q）、脉冲模块（PWM）、第一开关管（S₁）、第二开关管（S₂）、驱动电阻（R_g）和驱动内阻（R_g(in)）；其中，电源模块（V_q）通过串联的第一开关管（S₁）、第二开关管（S₂）和驱动电阻（R_g）连接到SiC MOSFET的源极，驱动内阻（R_g(in)）的一端连接到第一开关管（S₁）和第二开关管（S₂）的公共端，驱动内阻（R_g(in)）的另一端连接到SiC MOSFET的栅极，脉冲模块（PWM）分别连接到第一开关管（S₁）和第二开关管（S₂）。

3.根据权利要求2所述的一种基于桥式电路的SiC MOSFET门极辅助电路，其特征在于，负压产生模块包括负压电阻（R_k）、负压电容（C_ZD）和齐纳二极管（ZD）；其中，负压电容（C_ZD）和齐纳二极管（ZD）并联后再串联到第二开关管（S₂）和驱动电阻（R_g）之间，齐纳二极管（ZD）正极连接第二开关管（S₂），齐纳二极管（ZD）负极连接驱动电阻（R_g），齐纳二极管（ZD）负极通过负压电阻（R_k）连接到电源模块（V_q）。

4.根据权利要求3所述的一种基于桥式电路的SiC MOSFET门极辅助电路，其特征在于，负压电阻（R_k）的值为10kΩ，负压电容（C_ZD）的值为10uF，齐纳二极管（ZD）的耐压为5.1V。

5.根据权利要求2所述的一种基于桥式电路的SiC MOSFET门极辅助电路，其特征在于，串扰抑制模块包括抑制电容（C_k）、三极管（K₁）和二极管（D）；其中，三极管（K₁）为NPN型三极管，抑制电容（C_k）的一端连接SiC MOSFET的栅极，抑制电容（C_k）的另一端连接三极管（K₁）的集电极和二极管（D）的负极，三极管（K₁）的基极、发射极与驱动电阻（R_g）并联，三极管（K₁）的发射极和二极管（D）的正极连接SiC MOSFET的源极。

6.根据权利要求5所述的一种基于桥式电路的SiC MOSFET门极辅助电路，其特征在于，抑制电容（C_k）的值为100nF。

7.根据权利要求2所述的一种基于桥式电路的SiC MOSFET门极辅助电路，其特征在于，第一开关管（S₁）和第二开关管（S₂）采用推挽方式接入。