[发明专利]固态成像装置在审
申请号: | 202010542124.8 | 申请日: | 2020-06-15 |
公开(公告)号: | CN113380838A | 公开(公告)日: | 2021-09-10 |
发明(设计)人: | 李京桦;张育淇;林正轩;吴翰林 | 申请(专利权)人: | 采钰科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 聂慧荃;闫华 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固态 成像 装置 | ||
本公开实施例提供一种固态成像装置。固态成像装置包含多个光电转换元件。固态成像装置也包含一第一彩色滤光片层,其设置于光电转换元件上方并具有多个第一彩色滤光片区段。固态成像装置还包含一第二彩色滤光片层,其设置于光电转换元件上方并与第一彩色滤光片层相邻,且具有多个第二彩色滤光片区段。固态成像装置包含一第一网格结构,其设置于第一彩色滤光片层与第二彩色滤光片层之间且具有一第一网格高度。固态成像装置也包含一第二网格结构,其设置于第一彩色滤光片区段之间与第二彩色滤光片区段之间且具有一第二网格高度,第二网格高度低于或等于第一网格高度。
技术领域
本公开实施例涉及一种成像装置,尤其涉及一种包含网格结构的固态成像装置,网格结构具有不同的网格高度。
背景技术
固态成像装置,例如电荷耦合元件(charge-coupled device,CCD)成像装置、互补式金属氧化物半导体(complementary metal-oxide semiconductor,CMOS)成像装置等已经广泛使用于各种图像拍摄设备,例如数字静止图像相机、数字摄影机和类似的设备。固态成像装置中的光感测部分可形成在多个像素中的每个像素处,并且可以根据在光感测部分中所接收的光量产生信号电荷。此外,可以传送和放大在光感测部分中产生的信号电荷,进而获得图像信号。
在固态成像装置中,网格结构可用于将不同的彩色滤光片层分开。然而,一般的网格结构具有不变的(constant)网格高度,其可能会将光分裂(split)和绕射(diffract)为沿不同方向传播的几束光束,像是一种绕射光栅(diffraction grating),进而在获得的图像中造成花瓣状的光斑(petal flare)。此外,在一般的固态成像装置中,不同的彩色滤光片层之间可能会发生混色(crosstalk)。因此,固态成像装置的设计和制造仍然存在各种挑战。
发明内容
本公开的目的在于提供一种固态成像装置,以解决上述至少一个问题。
在本公开的一些实施例中,固态成像装置包含具有不同的网格高度的网格结构,其可防止网格结构产生绕射,进而提高来自固态成像装置的光电转换元件的图像信号的品质。
根据本公开的一些实施例,提供一种固态成像装置。固态成像装置包含多个光电转换元件。固态成像装置也包含一第一彩色滤光片层,第一彩色滤光片层设置于光电转换元件上方,并具有多个第一彩色滤光片区段。固态成像装置还包含一第二彩色滤光片层,第二彩色滤光片层设置于光电转换元件上方并与第一彩色滤光片层相邻,且具有多个第二彩色滤光片区段。固态成像装置包含一第一网格结构,第一网格结构设置于第一彩色滤光片层与第二彩色滤光片层之间,且具有一第一网格高度。固态成像装置也包含一第二网格结构,第二网格结构设置于第一彩色滤光片区段之间与第二彩色滤光片区段之间,且具有一第二网格高度,第二网格高度低于或等于第一网格高度。
本公开的有益效果在于,本公开实施例的固态成像装置包含具有不同网格高度的第一网格结构及第二网格结构,其可防止网格结构产生绕射,进而提高来自固态成像装置的光电转换元件。
附图说明
以下将配合所附附图详述本公开实施例。应注意的是,各种特征部件并未按照比例绘制且仅用以说明例示。事实上,元件的尺寸可能经放大或缩小,以清楚地表现出本公开实施例的技术特征。
图1显示根据本公开一实施例的固态成像装置的俯视图。
图2显示沿着图1中A-A’剖面线所切的固态成像装置的剖面图。
图3显示沿着图1中B-B’剖面线所切的固态成像装置的剖面图。
图4显示根据本公开另一实施例的固态成像装置的剖面图。
图5显示根据本公开又一实施例的固态成像装置的一部分的剖面图。
图6显示固态成像装置的另一部分的剖面图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的