[发明专利]一种在系统级封装实现选择性电磁屏蔽的工艺

说明书

本发明公开了一种系统级封装实现选择性电磁屏蔽的工艺,其包括以下步骤：S1、获取SIP封装体；S2、在SIP封装体上形成半切割道沟槽；S3、通过低温磁控离子溅射，在SIP封装体外表面及半切割道沟槽镀膜以形成金属覆层，以形成共形屏蔽、区域屏蔽；S4、以激光除去SIP封装体外表面待除去的金属覆层，以裸露出未屏蔽区，形成局部屏蔽采用激光和低温磁控离子溅射工艺，可以同时形成共形屏蔽、区域屏蔽以及局部屏蔽；可以提高工艺流程的简洁化程度。另外，能够解决金属屏蔽层内的子系统共振问题，局部屏蔽则是进一步划分屏蔽区及非屏蔽区，如此可以提高SIP封装技术的应用空间。

技术领域

本发明属于电磁屏蔽技术领域，特别涉及一种实现选择性电磁屏蔽的工艺。

背景技术

移动设备是向着轻薄短小的趋势发展的，特别在手机及智能穿戴产品的应用上，尤其是随着5G、物联网的普及，会将这一发展方向推向极致。

系统级封装(SIP)，是将多种功能的芯片或者无源器件在三维空间内组装到一起，如处理器、存储器、传感器等功能芯片混合搭载于同一封装体之内，实现一定功能的单个标准封装件，形成一个系统或者子系统的封装技术。

因封装体内有诸多如PA，WiFi/BT、Memory等，为了防止封装模组受到外部干扰或者模组内芯片之间的相互干扰，电磁屏蔽(EMI)设计是必要的。传统的电磁屏蔽是采用金属屏蔽罩，但屏蔽罩在横向上要占用宝贵的PCB面积，纵向上也要占用设备内部的立体空间，是设备小型化的一大障碍。另外，对于复杂的系统级封装，封装内部各子系统之间除了会相互干扰，且整个屏蔽结构的电磁谐振频率较低，加上数字系统本身的噪声带宽很宽，容易在SiP内部形成共振，导致系统无法正常工作。

目前用于系统级封装的电磁屏蔽设计中，通常包括有共形屏蔽(conformalshielding)和区域屏蔽(compartment shielding)两种技术。

共形屏蔽通常是将屏蔽层和封装完全融合在一起，模组自身就带有屏蔽功能，芯片贴装在PCB上后，不再需要外加屏蔽罩，不占用额外的设备空间。

区域屏蔽技术普遍采用激光先打穿封装塑封体，露出封装基板上的接地铜箔，再灌入导电银浆形成屏蔽墙，并与封装表面的屏蔽层一起将各子系统完全隔离开，能够解决SiP内部形成共振问题，可以形成对封装内部各子系统模块间实现隔离区域，达到区域屏蔽的效果；另外，区域屏蔽将屏蔽腔划分成小腔体，减小了屏蔽腔的尺寸，其谐振频率远高于系统噪声频率，避免了电磁共振，从而使得系统更稳定。这两种传统的电磁屏蔽方式由于结构不同、位置也不同，常常需要单独作业。

专利申请CN201911136734.1公开了一种用于线路板的新的电磁屏蔽的实现方法，包括以下步骤：Sp1：将产品按照正常的生产工艺加工电磁屏蔽膜之前对其进行处理；Sp2：对Sp1中的产品表面需要做电磁屏蔽的区域进行溅射，通过溅射工艺形成具有电磁屏蔽作用的电磁屏蔽金属层；该发明中方法得到的电磁屏蔽膜实际为两层结构，同样能实现电磁屏蔽的功能，相对于传统贴合方法形成三层结构的电磁屏蔽膜生产工艺，简化了原有的生产工艺步骤，大大降低了人工和材料的成本，有利于提高生产作业效率，并且不会出现人工作业造成的不良影响，也不会因为线路的段差而造成屏蔽膜破损。但是依然不能同时形成共形屏蔽、区域屏蔽以及局部屏蔽。

发明内容

为解决上述问题，本发明提供一种在系统级封装实现选择性电磁屏蔽的工艺，采用激光和低温磁控离子溅射工艺，可以同时形成共形屏蔽、区域屏蔽以及局部屏蔽；可以提高工艺流程的简洁化程度。另外，能够解决金属屏蔽层内的子系统共振问题，局部屏蔽则是进一步划分屏蔽区及非屏蔽区，如此可以提高SIP封装技术的应用空间。

本发明的另一个目的在于提供一种在系统级封装实现选择性电磁屏蔽的工艺，该工艺简化了设备及工艺流程，可以连续、大批量的制作，提高了制造的效率，降低了生产的成本。

为实现上述目的，本发明的技术方案如下: