[发明专利]用于微环调制器的对应关系生成、控制方法及装置、系统

说明书

本公开提供一种用于微环调制器的对应关系生成方法，包括：分别确定微环调制器在多个测试温度下的各个峰值控制参数值，所述峰值控制参数值为使所述微环调制器的调制效率达到峰值时的控制参数的值；确定所述微环调制器所处的温度与所述峰值控制参数值之间的对应关系。本公开还提供一种微环调制器的控制方法、一种微环调制器的控制装置、一种微环调制器的控制系统、一种计算机可读介质。

技术领域

本公开实施例涉及光通信技术领域，特别涉及一种用于微环调制器的对应关系生成方法、一种微环调制器的控制方法、一种微环调制器的控制装置、一种微环调制器的控制系统、一种计算机可读介质。

背景技术

硅基光电子器件由于与互补金属氧化物半导体(CMOS，Complementary MetalOxide Semiconductor)兼容、尺寸小、具有良好的热光效应和等离子体色散效应等优势，在近些年取得了长足的发展。其中，硅基调制器由于可以用在光通信模块中更是获得了广泛的研究。硅基马赫曾德尔调制器和硅基微环调制器都获得了很大的发展。

相比于马赫曾德尔调制器，微环调制器在功耗、尺寸方面具有明显优势。但是，现有稳定微环调制器的调制效率的方法效率较低。

发明内容

本公开实施例提供一种用于微环调制器的对应关系生成方法、一种微环调制器的控制方法、一种微环调制器的控制装置、一种微环调制器的控制系统、一种计算机可读介质。

第一方面，本公开实施例提供一种用于微环调制器的对应关系生成方法，包括：

分别确定微环调制器在多个测试温度下的各个峰值控制参数值，所述峰值控制参数值为使所述微环调制器的调制效率达到峰值时的控制参数的值；

确定所述微环调制器所处的温度与所述峰值控制参数值之间的对应关系。

在一些实施例中，对于任意一个测试温度，确定所述微环调制器在当前测试温度下的峰值控制参数值的步骤包括：

判断所述微环调制器的调制效率是否达到峰值；

当所述微环调制器的调制效率未达到峰值时，调节所述微环调制器的控制参数，直至所述微环调制器的调制效率达到峰值，将所述微环调制器的调制效率达到峰值时的控制参数的值作为所述峰值控制参数值。

在一些实施例中，在判断所述微环调制器的调制效率是否达到峰值的步骤之后，所述对应关系生成方法还包括：

当所述微环调制器的调制效率达到峰值时，将当前控制参数的值作为所述峰值控制参数值。

在一些实施例中，对于任意一个测试温度，确定所述微环调制器在当前测试温度下的峰值控制参数值的步骤还包括：

记录所述峰值控制参数值。

在一些实施例中，判断所述微环调制器的调制效率是否达到峰值的步骤包括：

根据接收到的检测电信号判断所述微环调制器的调制效率是否达到峰值；

其中，所述检测电信号是根据以下步骤生成的：

将经所述微环调制器调制后的输出光信号分光，得到检测光信号；

通过所述检测光信号对所述输出光信号的功率进行检测，得到检测电信号。

在一些实施例中，确定所述微环调制器所处的温度与所述峰值控制参数值之间的对应关系的步骤包括：

当所述微环调制器的调制效率达到峰值时，获取所述微环调制器所处的实际环境温度；

根据所述实际环境温度确定所述微环调制器所处的温度与所述峰值控制参数之间的对应关系。