[发明专利]一种钐钴磁体的制备方法有效

专利信息
申请号: 202010542759.8 申请日: 2020-06-15
公开(公告)号: CN111755188B 公开(公告)日: 2021-04-23
发明(设计)人: 杨善平;王超;石钟山 申请(专利权)人: 赣州科瑞精密磁材有限公司
主分类号: H01F1/055 分类号: H01F1/055;H01F41/02
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 341000 江*** 国省代码: 江西;36
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摘要:
搜索关键词: 一种 磁体 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种钐钴磁体的制备方法,其特征在于:该方法包括如下步骤:

(1)基础粉BA的制备

按照如下重量百分比配制钐钴合金基础粉BA原料:Sm:23.7~26.3%、Fe:10~20%、Zr:3~4%、Cu:3~5%、余量为Co;

将上述配制好的钐钴合金基础粉BA原料经熔炼、浇铸和破碎,制备成2.5~5μm的合金粉末,得到基础粉BA;

(2)辅助粉SA的制备

按照如下重量百分比配制钐钴合金辅助粉SA原料:Sm:26.3~30.3%、Fe:10~20%、Zr:3~4%、Cu:3~5%、余量为Co;

将上述配制好的钐钴合金辅助粉SA原料经熔炼、浇铸和破碎,制备成2.5~5μm的合金粉末,得到辅助粉SA;

(3)混料

将BA粉和SA粉按照BA:SA=(2-3):1混合均匀,制得钐钴合金粉末;

(4)磁场成型、等静压

混合均匀后的钐钴合金粉末在压机中磁场成型,然后再进行等静压压制,制备出生坯;

(5)烧结固溶、时效处理

将步骤(4)压制后得到的生坯放入烧结炉内,分阶段升温保温后,在1200~1220℃范围下烧结1~2h,然后冷却到1180~1190℃进行2~8h固溶处理,并快速风冷至室温,之后再次分阶段升温至1180~1190℃进行固溶处理1~3h,并快速风冷至室温,之后升温至800~850℃,保温10~20h后以1℃/min速度降温至400℃保温1~5h,随后风冷至室温出炉,得到钐钴磁体;

上述钐钴磁体的Hcj:10.4-11.6kOe。

2.根据权利要求1所述的钐钴磁体的制备方法,其特征在于:所述步骤(1)和(2)中,熔炼和浇铸在氩气保护下进行。

3.根据权利要求1所述的钐钴磁体的制备方法,其特征在于:所述步骤(4)中,磁场成型时磁场强度≥1.8T;等静压压力≥270MPa。

4.根据权利要求1所述的烧结钐钴磁体的制备方法,其特征在于:所述步骤(5)中所述分阶段升温保温为:升温至400℃,保温2~3h,再控制速率升温至800℃,再控制速率升温至1180℃~1190℃。

5.根据权利要求1所述的钐钴磁体的制备方法,其特征在于:所述钐钴磁体的Br:9.7-10.5kGS。

6.根据权利要求1所述的钐钴磁体的制备方法,其特征在于:所述钐钴磁体的Hcb:8.5-9kOe。

7.根据权利要求1所述的钐钴磁体的制备方法,其特征在于:所述钐钴磁体的(BH)max:203.7-206.5kJ/m3

8.根据权利要求1所述的钐钴磁体的制备方法,其特征在于:在制备辅助粉SA和/或辅助粉SA的气流磨制粉过程中向气流磨中补入100-3000ppm的氧气。

9.根据权利要求1所述的钐钴磁体的制备方法,其特征在于:在根据磁体目标配分进行配料前先将步骤(1)得到的基础粉BA与步骤(2)得到的辅助粉SA分别在混料机上混合均匀。

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