[发明专利]用于处理基板的装置和方法

说明书

本发明涉及一种用于处理基板的装置和方法。装置包括：具有处理空间的多个工艺腔室，所述工艺腔室配置为在处理空间中处理基板；以及排气单元，其用于从处理空间排出气体。所述排气单元包括多个单独排气管，其直接连接到一个工艺腔室或多个工艺腔室中的处理空间；主排气管，其连接到所述多个单独排气管；减压构件，其安置在所述主排气管中以减小所述处理空间的压力；以及阻尼器构件，其安装在各所述单独排气管中以调节通过所述单独排气管排出的气体的量。所述阻尼器构件包括第一阻尼器，其调节从所述处理空间排出的气体的量，以及第二阻尼器，其布置在所述第一阻尼器下游以缓冲通过调节第一阻尼器引起的压力变化。

相关申请的交叉引用

本发明要求2019年6月13日提交的韩国专利申请号10-2019-0069697的优先权和权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用整体并入本文。

技术领域

本文中描述的发明构思的实施方案涉及用于处理基板的装置和方法。

背景技术

为了制造半导体设备，进行诸如清洁工艺、沉积工艺、光刻工艺、蚀刻工艺、和离子注入工艺的各种工艺。该工艺在腔室中执行，在该腔室中具有处理空间。

通常，腔室中的处理空间具有均匀地维持的特定空气气氛。因此，工艺气氛通过排气设备而排出，使得预设压力被维持。排气设备不仅维持特定压力下的工艺气氛，而且还排出基板处理中产生的工艺副产物。

例如，诸如烟气的工艺副产物在对基板执行液体处理或对基板执行烘烤工艺的过程中产生，并由排气设备排出。

排气设备包括单独管道，该单独管道连接至对基板执行液体处理的液体处理腔室、或对基板执行热处理的烘烤腔室；以及从各单独管道连接的主管道。单独管道将腔室连接到主管道，并且主管道的压力通过减压构件减小。在腔室中产生的工艺副产物通过依次穿过单独管道和主导管而被排出。

阻尼器被安装在各管道中，以通过调节管道的截面积来调节从腔室排出的气体的量。然而，当各阻尼器打开或关闭时，在相邻的阻尼器中会发生压力变化，从而由于这种管道干扰而在管道内部引起压力振荡(hunting)现象。另外，由于各管道具有矩形形状，因此在气体在管道内部流动的过程中引起排气损失。

发明内容

本发明构思的实施方案提供了一种装置和方法，该装置和方法能够通过在单独排气管中安装第一阻尼器和第二阻尼器来最小化压力振荡现象，该第二阻尼器调节与相邻的第一阻尼器的干扰现象(interference phenomenon)。

本发明构思的实施方案提供了一种装置和方法，该装置和方法能够通过在排气在其上移动的路径上形成斜坡部件来最小化排气损失。

根据一示例性实施方案，设置了用于处理基板的装置。用于处理基板的装置可以包括：多个工艺腔室，在所述工艺腔室中具有处理空间以在所述处理空间中处理所述基板；以及排气单元，其从所述处理空间排出气体。所述排气单元可以包括：多个单独排气管，所述多个单独排气管直接连接到一个工艺腔室或多个工艺腔室中的处理空间；主排气管，所述主排气管连接到所述多个单独排气管；减压构件，所述减压机构安置在所述主排气管中以减小所述处理空间的压力；和阻尼器构件，所述阻尼器构件安装在各所述单独排气管中以调节通过所述单独排气管排出的气体的量。所述阻尼器构件可以包括：第一阻尼器，其用于调节从所述处理空间排出的气体的量；以及第二阻尼器，所述第二阻尼器设置在所述第一阻尼器的下游以缓冲通过调节所述第一阻尼器引起的压力变化。

根据一实施方案，所述装置可以进一步包括外部空气引入构件，所述外部空气引入构件安置在各所述单独排气管中以引入外部空气。

根据一实施方案，所述第二阻尼器可以设置在所述外部空气引入构件的下游。