[发明专利]光电探测器及其制备方法、触控基板和显示面板

权利要求书

1.一种光电探测器，其特征在于，包括依次层叠设置的基底、缓冲层、金属层、绝缘层及半导体层，所述金属层包括第一金属电极和第二金属电极，所述第一金属电极和所述第二金属电极之间的所述缓冲层上形成有凹槽，所述绝缘层覆盖所述金属层，且填充所述凹槽；其中，所述绝缘层用于断开所述第一金属电极与所述第二金属电极之间的漏电路径，所述第一金属电极为用于收集光电流或暗电流的电极，所述第二金属电极为施加偏压的电极。

2.根据权利要求1所述的光电探测器，其特征在于，所述凹槽在第一方向上的长度小于或等于所述第一金属电极和所述第二金属电极之间的间距，所述第一方向垂直于所述第一金属电极和所述第二金属电极之间的中心线方向。

3.根据权利要求2所述的光电探测器，其特征在于，所述凹槽在第二方向上的长度大于或等于所述第一金属电极和所述第二金属电极其中一个的长度，所述第二方向垂直于所述第一方向。

4.根据权利要求3所述的光电探测器，其特征在于，所述凹槽在第三方向上的深度范围为50nm至100nm，所述第三方向垂直于所述第一方向和所述第二方向。

5.根据权利要求4所述的光电探测器，其特征在于，所述第一金属电极和所述第二金属电极上的所述绝缘层在所述第三方向上的厚度范围为20nm至100nm。

6.一种触控基板，其特征在于，包括如权利要求1-5中任一项所述的光电探测器。

7.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求6所述的触控基板。

8.一种光电探测器的制备方法，其特征在于，包括：

提供基底；

在所述基底上形成缓冲层；

通过Sputter工艺，在所述缓冲层上形成金属层；

对所述金属层进行图案化处理，形成第一金属电极和第二金属电极，且在所述第一金属电极和所述第二金属电极之间的所述缓冲层上形成凹槽；

形成绝缘层，所述绝缘层覆盖所述金属层，并填充所述凹槽；

在所述绝缘层上形成半导体层。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述对所述金属层进行图案化处理，形成第一金属电极和第二金属电极，且在所述第一金属电极和所述第二金属电极之间的所述缓冲层上形成凹槽，包括：

在所述金属层上形成第一光刻胶层；

对所述第一光刻胶层进行曝光显影形成图案化的第二光刻胶层；

对所述图案化的第二光刻胶层和所述金属层进行刻蚀，以形成所述第一金属电极和所述第二金属电极；

对所述第一金属电极和所述第二金属电极之间的所述缓冲层进行刻蚀，以形成所述凹槽。

10.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述对所述图案化的第二光刻胶层和所述金属层进行刻蚀，以形成所述第一金属电极和所述第二金属电极，以及对所述第一金属电极和所述第二金属电极之间的所述缓冲层进行刻蚀，以形成所述凹槽，包括：

对所述图案化的第二光刻胶层和所述金属层进行刻蚀，以形成顶面具有第三光刻胶层的所述第一金属电极和所述第二金属电极；

对所述第三光刻胶层以及所述第一金属电极和所述第二金属电极之间的所述缓冲层进行刻蚀。