[发明专利]氧化镓基异质结集成光电芯片、远程紫外阵列监测器及其制作方法

权利要求书

1.一种氧化镓基异质结集成光电芯片，其特征在于：包括依次设置的蓝宝石单晶衬底、Sn:β-Ga₂O₃圆形薄膜和复合薄膜；其中所述复合薄膜包括位于同一平面上且排成圆形的La₂O₃薄膜、ZnO薄膜、NiO薄膜、Tb₂O₃薄膜、Ta₂O₅薄膜、Sm₂O₃薄膜、Nd₂O₃薄膜和Zn:β-Ga₂O₃薄膜；还包括一一对应的上部Ti/Au薄膜电极和下部Ti/Au薄膜电极，所述上部Ti/Au薄膜电极形成在所述复合薄膜上，并分别与La₂O₃薄膜、ZnO薄膜、NiO薄膜、Tb₂O₃薄膜、Ta₂O₅薄膜、Sm₂O₃薄膜、Nd₂O₃薄膜和Zn:β-Ga₂O₃薄膜一一对应，所述下部Ti/Au薄膜电极位于Sn:β-Ga₂O₃圆形薄膜上。

2.根据权利要求1所述的一种氧化镓基异质结集成光电芯片，其特征在于：所述Sn:β-Ga₂O₃圆形薄膜的厚度为300-500nm，Sn的掺杂浓度为3-5at％。

3.根据权利要求1所述的一种氧化镓基异质结集成光电芯片，其特征在于：所述La₂O₃薄膜、ZnO薄膜、NiO薄膜、Tb₂O₃薄膜、Ta₂O₅薄膜、Sm₂O₃薄膜、Nd₂O₃薄膜和Zn:β-Ga₂O₃薄膜的厚度均为200-300nm，Zn的掺杂浓度为3-5at％。

4.根据权利要求1所述的一种氧化镓基异质结集成光电芯片，其特征在于：所述Sn:β-Ga₂O₃圆形薄膜与蓝宝石单晶衬底的面积相同，所述复合薄膜的面积为Sn:β-Ga₂O₃圆形薄膜面积的4/9。

5.根据权利要求1所述的一种氧化镓基异质结集成光电芯片，其特征在于：所述La₂O₃薄膜、ZnO薄膜、NiO薄膜、Tb₂O₃薄膜、Ta₂O₅薄膜、Sm₂O₃薄膜、Nd₂O₃薄膜和Zn:β-Ga₂O₃薄膜为扇形结构。

6.根据权利要求5所述的一种氧化镓基异质结集成光电芯片，其特征在于：所述上部Ti/Au薄膜电极为三角环形薄膜电极，形状为底边2mm，高4mm的环形等腰三角形；所述下部Ti/Au薄膜电极为圆形，形状为半径1mm的圆形；Ti/Au薄膜电极中的Ti薄膜电极厚度为30-40nm，Au薄膜电极在Ti薄膜电极的上方，厚度为90-120nm。

7.一种波长连续可调的UV-C/B/A远程紫外阵列监测器，其包括权利要求1-6任一项的一种氧化镓基异质结集成光电芯片；还包括紫外光电探测外围电路、信号处理模块、IOT通信模块、AMR核心控制模块以及数据存储芯片。