[发明专利]显示基板及显示装置有效
申请号: | 202010544925.8 | 申请日: | 2020-06-15 |
公开(公告)号: | CN111653596B | 公开(公告)日: | 2022-07-22 |
发明(设计)人: | 石博;黄炜赟;于池;张瑜 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京风雅颂专利代理有限公司 11403 | 代理人: | 于小凤 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 显示装置 | ||
本公开提供一种显示基板及显示装置,其中,显示基板包括:低像素密度区,所述低像素密度区包括发光层以及设置于所述发光层的出光方向一侧的变色结构;所述变色结构包括电致变色层,所述电致变色层上设置有与所述发光层的发光单元位置上下对应的变色单元,所述变色单元在所述显示基板显示图像时呈透明状态,在通过所述低像素密度区采集图像时,在所述变色单元表面形成反射面,通过所述反射面将由外界入射至所述发光单元并被所述发光单元反射的光线再反射至设置于背离所述发光层发光方向的图像采集器,该显示基板可增强屏下图像采集器的进光量,提高成像质量。
技术领域
本公开涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示基板及显示装置。
背景技术
在屏下摄像头技术中,通常可采用降低摄像头所在区域的分辨率来增加OLED(OrganicLight-Emitting Diode,有机电激光显示)显示面板的透过率,但由于对显示面板显示功能的需求,低分辨区(即低PPI(Pixels Per Inch,像素密度)区域)仍需保留一定数量的显示单元。在采集图像时,由外界入射到低PPI区域的很大一部分光线被发光单元的阳极等金属层遮挡,造成入射到图像采集器的光强显著降低,物面到像面的传递信息出现丢失和衰减,导致成像质量降低的问题。
发明内容
有鉴于此,本公开提供一种显示基板及显示装置,以解决相关技术中,在显示屏的低像素区域中,由于入射到屏下图像采集器中的光强降低,导致采集的图像质量降低的问题。
本公开的一个或多个实施例提供了一种显示基板,包括:低像素密度区,所述低像素密度区包括发光层以及变色结构;所述变色结构设置于所述发光层的出光方向一侧;所述变色结构包括电致变色层,所述电致变色层上设置有与所述发光层的发光单元位置上下对应的变色单元,所述变色单元在所述显示基板显示图像时呈透明状态,在通过所述低像素密度区采集图像时,在所述变色单元表面形成反射面,通过所述反射面将由外界入射至所述发光单元并被所述发光单元反射的光线再反射至设置于背离所述发光层发光方向的图像采集器。
可选的,所述变色结构还包括位置相对的第一透明基底以及第二透明基底,所述第一透明基底以及所述第二透明基底的边缘密封连接,形成一个密封的腔体。
可选的,所述变色单元为设置于所述第一透明基底或所述第二透明基底朝向所述腔体的一面的透明电极,所述发光单元在所述透明电极所在的平面上的正投影覆盖所述透明电极,所述腔体内设置有银离子以及电解质。
可选的,所述显示基板还包括封装层,所述封装层位于所述变色结构以及所述发光层之间。
可选的,所述第一透明基底设置于靠近所述封装层的一侧,所述第二透明基底设置于远离所述封装层的一侧,所述透明电极设置于所述第一透明基底上。
可选的,所述显示基板还包括封装层,所述变色结构位于所述封装层与发光层之间。
可选的,所述透明电极的中部设置有通孔。
可选的,所述透明电极的表面积为与其位置上下对应的发光单元的表面积的1/2。
可选的,所述透明电极的表面光滑。
本公开一个或多个实施例还提供了一种显示装置,包括如上述任意一种显示基板。
从上面所述可以看出,在本公开的一个或多个实施例中,在显示基板的发光层的出光方向上设置有变色结构,变色结构中设置有与发光层的发光单元位置对应的变色单元,该变色单元可以在显示基板显示图像时,呈透明状态,使发光单元发出的光可正常通过变色结构,以实现显示功能,在通过低像素密度区采集图像时,在变色结构的变色单元表面形成反射面,将被发光单元遮挡的由外界入射的光线反射至图像采集器,以增强图像采集器的进光量,提高成像质量。
附图说明
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010544925.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种高热流密度芯片散热装置及其制作方法
- 下一篇:一种具有防触电新型智能电源
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的