[发明专利]一种磁存储器件中底电极的制备方法

权利要求书

1.一种磁存储器件中底电极的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

提供衬底，所述衬底上具有介电层，所述介电层上设置有底通孔以及填充在所述底通孔内的金属插塞；

在所述介电层上沉积硬掩膜层；

在所述介电层的外围区域形成对准标记；

去除沉积在所述介电层上的所述硬掩膜层；

在去除所述硬掩膜层后的结构上沉积底电极材料层，且所述底电极材料层未填满所述对准标记；

刻蚀所述底电极材料层以形成所述底电极。

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述对准标记的深度为D1，所述底电极材料层的厚度为D2；其中，D1≥110％D2。

3.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述对准标记的深度D1大于3000A。

4.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述底电极材料层的厚度D2为300～500A。

5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述硬掩膜层为TEOS层、SiN层、SiCx层、Silicon oxynitride层中的任意一层或由任意几层组成的复合层。

6.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述在所述介电层上沉积硬掩膜层具体为：

在所述介电层上沉积OX层；

在所述OX层上沉积SiN层。

7.如权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述去除沉积在所述介电层上的所述硬掩膜层具体为：

采用CMP方法一起去除所述SiN层及所述OX层。

8.如权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述去除沉积在所述介电层上的所述硬掩膜层具体为：

采用刻蚀方法去除所述SiN层，之后采用CMP方法去除所述OX层。

9.如权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述采用刻蚀方法去除所述SiN层具体为：采用湿法磷酸刻蚀方法去除所述SiN层。

10.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述硬掩膜层的厚度为300～1000A。