[发明专利]一种磁存储器件的制备方法及磁存储器件

权利要求书

1.一种磁存储器件的制备方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底上具有底电极；

在所述底电极上设置辅助层；

在所述辅助层上设置磁性隧道结，其包括：

在所述辅助层以及所述底电极上沉积形成所述磁性隧道结的多层磁性材料层，使所述多层磁性材料层一部分覆盖在所述辅助层的上方，一部分覆盖在所述辅助层的侧壁上，还有一部分覆盖在所述底电极上；

刻蚀掉所述多层磁性材料层中覆盖在所述辅助层的侧壁上以及所述底电极上的部分，以形成所述磁性隧道结。

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在所述底电极上设置辅助层具体为：

在所述底电极上沉积辅助材料层；

在所述辅助材料层上刻蚀出所述辅助层。

3.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，还包括在所述辅助材料层上刻蚀出所述辅助层之前，对所述辅助材料层进行CMP。

4.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述在所述辅助材料层上刻蚀出所述辅助层具体为：

在所述辅助材料层上沉积掩膜层；

在所述掩膜层上刻蚀出所述辅助层的图案；

采用刻蚀方式刻蚀所述辅助材料层，以得到所述辅助层；

去除所述掩膜层。

5.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述掩膜层为硬质掩膜层、氧化物掩膜层中的一层或由两层组成的复合层。

6.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述采用刻蚀方式刻蚀所述辅助材料层，以得到所述辅助层具体为：

采用RIE刻蚀、IBE刻蚀中的一种或两种刻蚀方法刻蚀所述辅助材料层，以得到所述辅助层。

7.一种磁存储器件，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底上具有底电极；

沉积在所述底电极上的辅助层；

沉积在所述辅助层上的磁性隧道结，其中，所述磁性隧道结通过如下方式形成：

在所述辅助层以及所述底电极上沉积形成所述磁性隧道结的多层磁性材料层，使所述多层磁性材料层一部分覆盖在所述辅助层的上方，一部分覆盖在所述辅助层的侧壁上，还有一部分覆盖在所述底电极上；

刻蚀掉所述多层磁性材料层中覆盖在所述辅助层的侧壁上以及所述底电极上的部分，以形成所述磁性隧道结。

8.如权利要求7所述的磁存储器件，其特征在于，所述辅助层的材料为TaN、TiN、Ta、Ti、W、WN中的一种或几种组合。

9.如权利要求7所述的磁存储器件，其特征在于，所述辅助层的厚度为5～200nm。

10.如权利要求7所述的磁存储器件，其特征在于，所述辅助层的尺寸大于所述磁性隧道结的尺寸。

11.如权利要求10所述的磁存储器件，其特征在于，所述辅助层及所述磁性隧道结水平方向的截面形状均为正方形；且所述辅助层水平方向的截面的边长比所述磁性隧道结的水平方向的截面边长大10nm～200nm。

12.如权利要求7所述的磁存储器件，其特征在于，所述磁性隧道结为平面磁性隧道结或垂直磁性隧道结。