[发明专利]复合材料及其制备方法和量子点发光二极管

权利要求书

1.一种复合材料，其特征在于，所述复合材料包括有机半导体材料、有机分子和金属离子，所述有机分子具有如下式I所示的结构，所述有机分子上的羧基与所述金属离子配位，并通过所述金属离子连接至所述有机半导体材料；

其中，R₁为-(CH₂)_n-，n为大于或等于1的整数。

2.如权利要求1所述的复合材料，其特征在于，所述有机分子的R₁中，n＝2～20；和/或，

所述有机分子与所述有机半导体材料的质量比为(0.1～1)：30；和/或，

所述有机分子与所述金属离子的摩尔比为(1～3)：1。

3.如权利要求1所述的复合材料，其特征在于，所述有机半导体材料选自聚(9,9-二辛基-芴-共-N-(4-丁基苯基)-二苯基胺)、多芳基胺、聚(N-乙烯基咔唑)、聚苯胺、聚吡咯、N,N,N',N'-四(4-甲氧基苯基)-联苯胺、4-双[N-(1-萘基)-N-苯基-氨基]联苯、4,4',4”-三[苯基(间-甲苯基)氨基]三苯基胺、4,4',4”-三(N-咔唑基)-三苯基胺和1,1-双[(二-4-甲苯基氨基)苯基环己烷中的一种或多种；和/或，

所述有机半导体材料选自含胺基的有机空穴传输材料；和/或，

所述金属离子选自锌离子、钛离子、铝离子、铟离子、锡离子、锆离子和镓离子中的一种或多种。

4.如权利要求1-3任一项所述的复合材料，其特征在于，所述复合材料由所述有机半导体材料、有机分子和金属离子组成。

5.一种复合材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供有机半导体材料、如下式II所示的二羧酸单酯有机物以及金属离子前驱体；

将所述有机半导体材料、二羧酸单酯有机物和金属离子前驱体溶于非极性溶剂中，进行加热处理，得到混合溶液；

将所述混合溶液进行固液分离，得到所述复合材料；

其中，R₁为-(CH₂)_n-，R₂为-O(CH₂)_mCH₃，n为大于或等于1的整数，m为大于或等于0的整数。

6.如权利要求5所述的复合材料的制备方法，其特征在于，所述二羧酸单酯有机物的R₁中，n＝2～20；和/或，

所述二羧酸单酯有机物的R₂中，m＝2～20。

7.如权利要求5所述的复合材料的制备方法，其特征在于，所述二羧酸单酯有机物与所述有机半导体材料的质量比为(0.1～1)：30；和/或，

所述二羧酸单酯有机物与所述金属离子前驱体的摩尔比为(1～3)：1。

8.如权利要求5所述的复合材料的制备方法，其特征在于，所述加热处理的条件包括：温度为60～120℃，时间为30min～4h；和/或，

所述固液分离包括在温度为140～160℃的条件下退火结晶。

9.如权利要求5-8任一项所述的复合材料的制备方法，其特征在于，所述有机半导体材料选自聚(9,9-二辛基-芴-共-N-(4-丁基苯基)-二苯基胺)、多芳基胺、聚(N-乙烯基咔唑)、聚苯胺、聚吡咯、N,N,N',N'-四(4-甲氧基苯基)-联苯胺、4-双[N-(1-萘基)-N-苯基-氨基]联苯、4,4',4”-三[苯基(间-甲苯基)氨基]三苯基胺、4,4',4”-三(N-咔唑基)-三苯基胺和1,1-双[(二-4-甲苯基氨基)苯基环己烷中的一种或多种；和/或，

所述金属离子前驱体选自锌离子前驱体、钛离子前驱体、铝离子前驱体、铟离子前驱体、锡离子前驱体、锆离子前驱体和镓离子前驱体中的一种或多种。

10.一种量子点发光二极管，包括阳极、阴极以及位于所述阳极和所述阴极之间的量子点发光层，所述阳极和所述量子点发光层之间设置有空穴传输层，其特征在于，所述空穴传输层由权利要求1-4任一项所述的复合材料或权利要求5-9任一项所述的制备方法得到的复合材料组成。