[发明专利]利用PECVD制备石墨烯的装置和方法

权利要求书

1.一种利用PECVD制备石墨烯的装置，其特征在于，包括：

沉积炉；

等离子体源；

第一极板，设置于所述沉积炉内，所述第一极板连接于所述等离子体源的发射端；以及

第二极板，设置于所述沉积炉内，所述第二极板与所述第一极板相对设置，且在所述沉积炉的第一区域具有重叠部分，所述第二极板连接于所述等离子体源的接地端。

2.根据权利要求1所述的利用PECVD制备石墨烯的装置，其特征在于，所述装置还包括两个载具，两个所述载具分别设置于所述沉积炉的两个第二区域；

所述第一极板的两端分别搭接于两个所述载具上，所述第二极板的两端分别搭接于两个所述载具上，所述第一极板和所述第二极板平行设置。

3.根据权利要求2所述的利用PECVD制备石墨烯的装置，其特征在于，每个所述载具包括：

套筒；

多个第一支撑部，设置于所述套筒内，且沿垂直于所述第一极板的方向间隔设置；以及

多个第二支撑部，设置于所述套筒内，且沿垂直于所述第一极板的方向间隔设置；

所述第一极板的两侧分别搭接于所述多个第一支撑部的其中一个和所述多个第二支撑部的其中一个，所述第二极板的两侧分别搭接于所述多个第一支撑部的另一个和所述多个第二支撑部的另一个。

4.根据权利要求3所述的利用PECVD制备石墨烯的装置，其特征在于，所述第一支撑部和所述第二支撑部均呈凸条状。

5.根据权利要求3所述的利用PECVD制备石墨烯的装置，其特征在于，所述套筒呈中空柱状，且具有相对设置的第一侧壁和第二侧壁；所述多个第一支撑部突出于所述第一侧壁的内表面，所述多个第二支撑部突出于所述第二侧壁的内表面。

6.根据权利要求3所述的利用PECVD制备石墨烯的装置，其特征在于，多个所述第一支撑部和多个所述第二支撑部的数量相同，且一一对应设置。

7.根据权利要求1所述的利用PECVD制备石墨烯的装置，其特征在于，所述第一极板和所述第二极板水平设置；或，

所述第一极板和所述第二极板竖直设置；或，

所述第一极板和所述第二极板的厚度均大于等于2mm。

8.一种利用PECVD制备石墨烯的方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供一生长基底；

通入碳源，并采用如权利要求1至7任一项所述的利用PECVD制备石墨烯的装置在所述生长基底上生长石墨烯层，其中所述生长基底设于所述装置的第一极板和第二极板之间。

9.根据权利要求8所述的利用PECVD制备石墨烯的方法，其特征在于，所述装置的等离子体源采用射频电源，所述射频电源的功率为100W～600W。

10.根据权利要求8所述的利用PECVD制备石墨烯的方法，其特征在于，所述生长基底包括支撑板和金属箔，所述金属箔包覆于所述支撑板的外部。