[发明专利]半导体元件及其制作方法在审
| 申请号： | 202010546950.X | 申请日： | 2020-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN113809117A | 公开（公告）日： | 2021-12-17 |
| 发明（设计）人： | 王慧琳;翁宸毅;张哲维;蔡锡翰;许清桦;张境尹;王裕平 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/22 | 分类号： | H01L27/22;H01L43/08;H01L43/12 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制作方法 | ||
1.一种制作半导体元件的方法，其特征在于，包含：
形成磁性隧穿结(magnetic tunneling junction,MTJ)堆叠结构于基底上，其中该磁性隧穿结堆叠结构包含阻障层；
去除部分该阻障层；
形成第一遮盖层于该阻障层旁；以及
去除该第一遮盖层以及该磁性隧穿结堆叠结构以形成磁性隧穿结。
2.如权利要求1所述的方法，其中该磁性隧穿结堆叠结构包含固定层设于该基底上、该阻障层设于该固定层上以及自由层设于该阻障层上，该方法包含：
形成上电极于该磁性隧穿结堆叠结构上；
去除该上电极、该自由层以及该阻障层；
形成该第一遮盖层于该上电极、该自由层以及该阻障层上；以及
去除该第一遮盖层以及该固定层以形成间隙壁于该磁性隧穿结旁。
3.如权利要求2所述的方法，其中该间隙壁底部低于该阻障层底部。
4.如权利要求2所述的方法，其中该间隙壁顶部切齐该上电极顶部。
5.如权利要求2所述的方法，其中该自由层宽度等于该阻障层宽度。
6.如权利要求2所述的方法，其中该自由层宽度小于该固定层宽度。
7.如权利要求1所述的方法，另包含形成第二遮盖层于该第一遮盖层以及该磁性隧穿结上。
8.如权利要求7所述的方法，其中该第一遮盖层以及该第二遮盖层包含不同材料。
9.一种半导体元件，其特征在于，包含：磁性隧穿结(magnetic tunneling junction,MTJ)，设于基底上，该磁性隧穿结包含：
固定层，设于该基底上；
阻障层，设于该固定层上，其中该阻障层的临界尺寸不同于该固定层的临界尺寸；以及
自由层，设于该阻障层上。
10.如权利要求9所述的半导体元件，其中该自由层宽度等于该阻障层宽度。
11.如权利要求9所述的半导体元件，其中该自由层宽度小于该固定层宽度。
12.如权利要求9所述的半导体元件，另包含参考层，设于该阻障层以及该固定层之间。
13.如权利要求12所述的半导体元件，其中该自由层宽度小于该参考层宽度。
14.如权利要求12所述的半导体元件，其中该自由层以及该参考层包含相同材料。
15.如权利要求9所述的半导体元件，另包含：
间隙壁，设于该阻障层以及该自由层旁；以及
遮盖层，设于该间隙壁以及该固定层旁。
16.如权利要求15所述的半导体元件，其中该间隙壁底部低于该阻障层底部。
17.如权利要求15所述的半导体元件，另包含上电极，设于该自由层上，其中该间隙壁顶部切齐该上电极顶部。
18.如权利要求15所述的半导体元件，其中该间隙壁以及该遮盖层包含不同材料。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
