[发明专利]半导体元件及其制作方法有效
| 申请号： | 202010546969.4 | 申请日： | 2020-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN113808997B | 公开（公告）日： | 2023-09-26 |
| 发明（设计）人： | 吴家荣;黄瑞民;张翊凡;蔡雅卉;王裕平 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H10B61/00;H01L23/528 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制作方法 | ||
1.一种制作半导体元件的方法，其特征在于，包含：
形成第一金属间介电层于一基底上；
形成第一金属内连线于该第一金属间介电层内；
形成第二金属间介电层与该第一金属间介电层和该第一金属内连线上；
形成第一图案化掩模于该第二金属间介电层上，其中该第一图案化掩模包含第一开口沿着第一方向延伸并与该第一金属内连线重叠；
形成第二图案化掩模于该第一图案化掩模上，其中该第二图案化掩模包含第二开口沿着第二方向延伸并与该第一开口交错而形成第三开口；
经由该第三开口去除该第一金属间介电层以形成接触洞；
形成导电材料于该接触洞内以形成第二金属内连线电连接该第一金属内连线；
形成磁性隧穿结堆叠结构于该第二金属间介电层以及该第二金属内连线上；以及
图案化该磁性隧穿结堆叠结构以形成磁性隧穿结于该第二金属内连线上，其中该磁性隧穿结的面积小于该第二金属内连线的面积。
2.如权利要求1所述的方法，其中该第一图案化掩模以及该第二图案化掩模包含不同材料。
3.如权利要求1所述的方法，其中该第一图案化掩模包含一金属掩模。
4.如权利要求1所述的方法，其中该第二图案化掩模包含图案化光致抗蚀剂。
5.如权利要求1所述的方法，其中该第一开口包含长方形开口。
6.如权利要求1所述的方法，其中该第二开口包含长方形开口。
7.如权利要求1所述的方法，其中该第三开口包含正方形开口。
8.如权利要求1所述的方法，其中该第一方向垂直该第二方向。
9.一种半导体元件，其特征在于，由权利要求1至8中任一项所述的方法制成，该半导体元件包含：
金属内连线，设于基底上，其中该金属内连线依据上视角度包含四边形；以及
磁性隧穿结(magnetic tunneling junction, MTJ)，设于该金属内连线上，其中该磁性隧穿结依据上视角度包含圆弧形。
10.如权利要求9所述的半导体元件，其中该金属内连线依据上视角度包含正方形。
11.如权利要求9所述的半导体元件，其中该金属内连线依据上视角度包含长方形。
12.如权利要求9所述的半导体元件，其中该金属内连线包含钨。
13.如权利要求9所述的半导体元件，其中该磁性隧穿结依据上视角度包含圆形。
14.如权利要求9所述的半导体元件，其中该磁性隧穿结依据上视角度包含椭圆形。
15.如权利要求9所述的半导体元件，其中该磁性隧穿结重叠该金属内连线边缘。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
