[发明专利]一种去除金属镓的装置及方法

说明书

本发明涉及一种去除金属镓的装置及方法，用于去除激光剥离后残留在微发光二极管芯片上的金属镓，其中，所述装置包括：一装置本体，所述装置本体包括一工艺腔室；所述工艺腔室内盛放有用于去除激光剥离后残留于微发光二极管芯片表面的金属镓的流体；其中，所述流体具有一大于等于所述金属镓熔点的温度。通过采用物理方法即根据金属镓低熔点(29.78℃)的特性，将激光剥离后的微发光二极管芯片，浸泡在所述流体中，使金属镓由固态变为熔融态，达到去除金属镓的目的。提高了巨量转移良率及芯片质量。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种去除金属镓的装置及方法。

背景技术

微型发光二极管(Micro Light Emitting Diode，Micro-LED)技术是新一代的显示技术，其中巨量转移技术是Micro-LED制造中极为重要的部分。Micro-LED巨量转移技术是将成千上万颗Micro-LED从生长基板上转移到目标基板上的技术，巨量转移段激光剥离制程后会在微发光二极管芯片的电极上残留有金属镓。目前去除金属镓通常是采用酸(稀盐酸)洗的方式，虽然采用酸洗能够去除残留的金属镓，但是在酸洗的过程中，酸会腐蚀微发光二极管芯片上的电极，极易对微发光二极管芯片造成损坏。

因此，如何在不损坏微发光二极管芯片的前提下，去除残留的金属镓是亟需解决的问题。

发明内容

鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种去除金属镓的装置及方法，旨在提供一种不损伤微发光二极管芯片及电极的去除残留金属镓的技术方案。

本发明的技术方案如下：

一种去除金属镓的装置，其中，包括：

一装置本体，所述装置本体包括一工艺腔室；

所述工艺腔室内盛放有用于去除激光剥离后残留于微发光二极管芯片表面的金属镓的流体；其中，所述流体具有一大于等于所述金属镓熔点的温度。

上述所述的去除金属镓的装置，通过设置工艺腔室盛放温度大于等于金属镓熔点的流体，利用所述流体使所述金属镓由固态变为熔融态，以达到去除金属镓的目的。该装置结构简单，易操作。

可选地，还包括设置在所述工艺腔室内的用于检测所述工艺腔室内工艺参数的传感器。

可选地，所述传感器包括温度传感器、液位传感器和真空度传感器；

所述温度传感器用于检测所述工艺腔室内的流体的温度；

所述液位传感器用于检测所述工艺腔室内的流体的液位；

所述真空度传感器用于检测所述工艺腔室内的真空度。

上述所述的装置，通过在所述工艺腔室内设置温度传感器、液位传感器和真空度传感器，可以更好的对装置内部的流体进行监控。

可选地，所述工艺腔室包括一流体入口和一流体出口，所述流体入口和流体出口处均设置有用于控制流体流量的阀门。

可选地，所述流体入口和流体出口处均还设有用于检测流体温度的温度检测器和用于检测流体流量的流量检测器。

可选地，所述工艺腔室顶部设有用于抽真空的抽气口，所述抽气口透过一抽真空管道连接至一真空泵。

基于同样的发明构思，本发明还提供一种去除金属镓的方法，其中，基于一种去除金属镓的装置，所述装置包括一工艺腔室；所述方法包括：

提供一经激光剥离后的暂存基板；其中，所述暂存基板上粘附有若干微发光二极管芯片；

将所述暂存基板转移至所述工艺腔室中；以及

向所述工艺腔室内通入一定量的流体，以去除所述微发光二极管芯片表面残留的金属镓；