[发明专利]一种转移方法及转移系统有效
申请号: | 202010547333.1 | 申请日: | 2020-06-16 |
公开(公告)号: | CN112967973B | 公开(公告)日: | 2022-09-27 |
发明(设计)人: | 李欣曈;洪温振;柘涛 | 申请(专利权)人: | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L33/62 |
代理公司: | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人: | 徐凯凯 |
地址: | 402760 重庆市璧*** | 国省代码: | 重庆;50 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 转移 方法 系统 | ||
1.一种转移方法,其特征在于,包括:
提供一液体,将多种待转移的微型发光元件置于所述液体中,并使各种所述微型发光元件之间形成高度差;所述微型发光元件包括倒装型微型发光元件,所述倒装型微型发光元件的电极设置在同一侧;
提供一转移装置,所述转移装置包括多种拾取头,各种所述拾取头的长度不同;
待不同长度的所述拾取头分别与位于所述液体中不同高度的所述微型发光元件接触后,拾取所述微型发光元件。
2.根据权利要求1所述的转移方法,其特征在于,还包括:
提供一背板,所述背板上设置有多种导电柱,各种所述导电柱具有不同的承接高度。
3.根据权利要求2所述的转移方法,其特征在于,还包括:
将多种所述拾取头上的所述微型发光元件对应转移到多种所述导电柱上。
4.根据权利要求3所述的转移方法,其特征在于,所述转移方法还包括:
在所述拾取头上设置第一胶层。
5.根据权利要求4所述的转移方法,其特征在于,所述拾取所述微型发光元件包括:
将设置有所述第一胶层的所述拾取头与所述微型发光元件相接触;
对所述拾取头进行加热;
待所述微型发光元件固化在所述拾取头上后,将所述拾取头从所述液体中取出。
6.根据权利要求3所述的转移方法,其特征在于,所述将所述拾取头上的所述微型发光元件转移到所述导电柱上包括:
在所述导电柱上设置第二胶层;
调整所述转移装置的位置,使所述拾取头上的不同微型发光元件分别与不同承接高度的所述导电柱接触;
对所述拾取头进行降温;
待所述微型发光元件从所述拾取头上释放后,通过所述第二胶层将所述微型发光元件键合在所述背板的导电柱上。
7.根据权利要求2所述的转移方法,其特征在于,所述拾取头包括金属陶瓷拾取头。
8.根据权利要求4所述的转移方法,其特征在于,所述第一胶层包括热固胶层。
9.根据权利要求1所述的转移方法,其特征在于,所述微型发光元件包括倒装型微型发光元件。
10.一种转移系统,其特征在于,包括:
液体槽,用于盛放液体,所述液体中放置有多种微型发光元件,各种所述微型发光元件之间形成高度差;所述微型发光元件包括倒装型微型发光元件,所述倒装型微型发光元件的电极设置在同一侧;
转移装置,所述转移装置包括多种拾取头,各种所述拾取头的长度不同,待不同长度的所述拾取头分别与位于所述液体中不同高度的所述微型发光元件接触后,拾取所述微型发光元件。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造