[发明专利]一种高精度低温漂的振荡器

权利要求书

1.一种高精度低温漂的振荡器，其特征在于，包括：电流源、电容充放电模块、比较器模块、RS锁存器、反相器和驱动模块；

比较器模块包括两个比较器，两个比较器的输出端分别连接RS锁存器的两个输入端；反相器的输入端和输出端分别连接RS锁存器的输出端和驱动模块的输入端，驱动模块的输出端用于输出振荡信号；

电容充放模块采用双电容充放结构，包括用于控制电容充放电的第一控制节点(A)和第二控制节点(B)，还包括用于检测充放电流的第一检测节点(C)和第二检测节点(D)；

电流源与电容充放电模块连接，用于充电；第一检测节点(C)连接一个比较器的输入端，第二检测节点(D)连接另一个比较器的输入端；两个比较器的剩余输入端接入参考电压；第一控制节点(A)和第二控制节点(B)分别与反相器的输入端和输出端等电位连接。

2.如权利要求1所述的高精度低温漂的振荡器，其特征在于，两个比较器接入的参考电压相等。

3.如权利要求2所述的高精度低温漂的振荡器，其特征在于，还包括恒温电压源，恒温电压源分别连接两个比较器用于提供参考电压。

4.如权利要求1所述的高精度低温漂的振荡器，其特征在于，电流源采用可控电流源。

5.如权利要求1所述的高精度低温漂的振荡器，其特征在于，电容充放模块还包括第一电容(C1)、第二电容(C2)、第一NMOS晶体管(M1)、第二NMOS晶体管(M2)、第三PMOS晶体管(M3)和第四PMOS晶体管(M4)；第一检测节点(C)分别连接第一NMOS晶体管(M1)的源极与第三PMOS晶体管(M3)的漏极，并通过串联第一电容(C1)后接地；第一控制节点(A)分别连接第一NMOS晶体管(M1)的基极以及第三PMOS晶体管(M3)的基极；第二检测节点(D)分别连接第二NMOS晶体管(M2)的源极与第四PMOS晶体管(M4)的漏极，并通过串联第二电容(C2)后接地；第二控制节点(B)分别连接第二NMOS晶体管(M2)的基极以及第四PMOS晶体管(M4)的基极。第一NMOS晶体管(M1)的漏极和第二NMOS晶体管(M2)的漏极均接地，第三PMOS晶体管(M3)的源极和第四PMOS晶体管(M4)的源极均连接电流源充电；

第一电容(C1)和第二电容(C2)充放电时间相同。