[发明专利]一种显示背板的制备方法、显示背板及显示装置在审
| 申请号： | 202010547796.8 | 申请日： | 2020-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN113808937A | 公开（公告）日： | 2021-12-17 |
| 发明（设计）人： | 翟峰;唐彪 | 申请（专利权）人： | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/308 | 分类号： | H01L21/308;H01L33/00;H01L27/15 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 刘文求;刘芙蓉 |
| 地址： | 402760 重庆市璧*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 显示 背板 制备 方法 显示装置 | ||
1.一种显示背板的制备方法，其特征在于，包括：
提供一硅基背板，在所述硅基背板上形成第一金属层；
提供一LED外延片，所述LED外延片包括依次设置的生长基板、N型半导体层、发光层及P型半导体层，所述P型半导体层上形成有第二金属层；
将所述第一金属层和所述第二金属层进行键合，并将所述LED外延片的生长基板去除；
在所述LED外延片的N型半导体层上形成单层分布的SiO2微球层，以所述SiO2微球为掩膜版对所述LED外延片以及所述第一金属层和所述第二金属层进行刻蚀，得到均匀分布的多个子像素；
向所述子像素间填充纳米微球，并去除作为掩膜版的所述SiO2微球，并在所述SiO2微球的原位上沉积透明电极，制备得到显示背板。
2.根据权利要求1所述的显示背板的制备方法，其特征在于，所述向所述子像素间填充纳米微球，并去除作为掩膜版的所述SiO2微球，并在所述SiO2微球的原位上沉积透明电极，制备得到显示背板的步骤具体包括：
向所述子像素间填充纳米微球，并在所述纳米微球的填充区域表面、所述SiO2微球表面及所述N型半导体层的表面形成一层SiO2层；
在所述SiO2层表面涂覆一层光刻胶层，对所述光刻胶层进行图案化处理，使所述SiO2微球对应区域曝露；
通过刻蚀除去所述SiO2微球，并除去所述SiO2层表面的光刻胶；
在所述SiO2微球的原位沉积透明电极，制备得到显示背板。
3.根据权利要求1所述的显示背板的制备方法，其特征在于，所述SiO2微球的粒径为800nm-10um。
4.根据权利要求1所述的显示背板的制备方法，其特征在于，所述纳米微球的粒径为35-200nm。
5.根据权利要求1所述的显示背板的制备方法，其特征在于，将所述LED外延片的生长基板去除是通过激光剥离或碱液腐蚀。
6.根据权利要求1所述的显示背板的制备方法，其特征在于，所述第一金属层及所述第二金属层的材料为Au或Ti中的一种。
7.根据权利要求1所述的显示背板的制备方法，其特征在于，所述纳米微球的材料为二氧化硅、聚苯乙烯或聚丙烯酸中的一种。
8.根据权利要求1所述的显示背板的制备方法，其特征在于，所述透明电极为ITO电极或AZO电极中的一种。
9.一种显示背板，其特征在于，采用如权利要求1-8任一项所述的制备方法制备而成。
10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求9所述的显示背板。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
