[发明专利]一种钙铝硅系高密度封装用陶瓷材料及其制备方法

权利要求书

1.一种钙铝硅系高密度封装用陶瓷材料，其特征在于：

所述陶瓷材料由以下组分构成(以质量百分比计)：

CaO：25～55wt％；

SiO₂：35～65wt％；

Al₂O₃：3～12wt％；

B₂O₃：4～10wt％；

Gd₂O₃：1～4wt％。

2.按权利要求1所述钙铝硅系高密度封装用陶瓷材料，其特征在于：所述钙铝硅系高密度封装用陶瓷材料的主晶相为石英、硅灰石和方石英。

3.按权利要求1所述钙铝硅系高密度封装用陶瓷材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)将CaO、SiO₂、Al₂O₃、B₂O₃、Gd₂O₃的原始粉末按配方比例称量，得到混合料；

(2)将所得混合料经球磨、烘干、过筛后，得到均匀分散的干燥粉体；

(3)将所得干燥粉体装入坩埚，置于600～770℃温度下预烧1～3小时得到预烧料；

(4)将预烧料进行二次球磨、烘干、过筛后，得到均匀分散的粉料；

(5)将所得粉料用丙烯酸进行造粒，干压成型得到坯体；

(6)将压制成型所得坯体置于电炉，排胶后于900～1000℃下烧结1～3小时，得到钙铝硅系高密度封装用陶瓷材料。