[发明专利]半导体制冷片及其制作方法

权利要求书

1.一种制作半导体制冷片的方法，其特征在于，包括：

提供半导体制冷组件，所述半导体制冷组件包括相对设置的第一绝缘导热层和第二绝缘导热层，以及位于所述第一绝缘导热层和所述第二绝缘导热层之间的半导体层，所述半导体层包括多个电偶对，多个所述电偶对串联连接，且所述电偶对与导线电连接，所述半导体制冷组件设置有所述第一绝缘导热层的一侧为冷端，所述半导体制冷组件设置有所述第二绝缘导热层的一侧为热端；

形成封装结构，令所述封装结构覆盖所述半导体制冷组件的侧壁，并与所述第一绝缘导热层构成第一凹槽，以及令所述导线贯穿所述封装结构，并延伸至所述封装结构的外侧，以获得所述半导体制冷片。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括：

令所述封装结构与所述第二绝缘导热层构成第二凹槽。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述封装结构是通过注塑并冷却固化形成的。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述注塑过程中的压力为2-40bar，所述注塑过程中的温度为150-240℃。

5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述冷却固化的时间为10-50s。

6.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，形成的所述封装结构的壁厚为0.2-1mm。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一凹槽的深度为0.2-1mm。

8.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一凹槽和所述第二凹槽的深度分别独立的为0.2-1mm。

9.一种半导体制冷片，其特征在于，包括：

半导体制冷组件，所述半导体制冷组件包括相对设置的第一绝缘导热层和第二绝缘导热层，以及位于所述第一绝缘导热层和所述第二绝缘导热层之间的半导体层，所述半导体层包括多个电偶对，多个所述电偶对串联连接，且所述电偶对与导线电连接，所述半导体制冷组件设置有所述第一绝缘导热层的一侧为冷端，所述半导体制冷组件设置有所述第二绝缘导热层的一侧为热端；和

封装结构，所述封装结构覆盖所述半导体制冷组件的侧壁，并与所述第一绝缘导热层构成第一凹槽，所述导线贯穿所述封装结构，并延伸至所述封装结构的外侧。

10.根据权利要求9所述的半导体制冷片，其特征在于，所述封装结构进一步与所述第二绝缘导热层构成第二凹槽。

11.根据权利要求9或10所述的半导体制冷片，其特征在于，所述封装结构的壁厚为0.2-1mm。

12.根据权利要求9所述的半导体制冷片，其特征在于，所述第一凹槽的深度为0.2-1mm。

13.根据权利要求10所述的半导体制冷片，其特征在于，所述第一凹槽和所述第二凹槽的深度分别独立的为0.2-1mm。

14.根据权利要求9或10所述的半导体制冷片，其特征在于，所述凹槽的开口形状包括四边形、圆形和椭圆形的至少之一。

15.根据权利要求9所述的半导体制冷片，其特征在于，所述第一凹槽的开口面积与所述第一绝缘导热层的面积一致。

16.根据权利要求10所述的半导体制冷片，其特征在于，所述第二凹槽的开口面积与所述第二绝缘导热层的面积一致。

17.根据权利要求9所述的半导体制冷片，其特征在于，形成所述封装结构的材料包括聚酰胺热熔胶、聚烯烃热熔胶和反应型聚氨酯热熔胶的至少之一；

任选的，所述第一绝缘导热层和所述第二绝缘导热层分别独立的包括陶瓷片、玻璃片、氮化铝片和具有氧化膜的铝片的至少之一。